Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.
Аннотация к работе
При этом решают следующие взаимосвязанные задачи: а) размещение элементов в системе координат пластины (платы) с учетом схемотехнических, технологических и конструктивных ограничений; б) проведение межэлементных соединений (трассировка); в) вычерчивание послойных чертежей с общего вида топологии и составление таблиц координат угловых точек для дальнейшего изготовления комплектов фотошаблонов.Проектирование топологии БИС производится только машинными методами; основные технологические процессы автоматизируются для повышения степени интеграции ; высокотемпературные диффузионные операции стараются заменить ионным легированием; в формировании рисунка схемы используются методы с высокой разрешающей способностью; для многоуровневой металлизации в БИС применяются новые материалы. Кроме того, относительная простота может быть объяснена особенностями схемотехнического построения МДП-ИМС, при котором МДП-транзистор является единым типовым элементом, а между отдельными элементами используется непосредственная связь.При проектировании полупроводниковых микросхем на МДП - транзисторах необходимо учитывать следующее. В качестве внутрисхемных соединений часто используют диффузионные высоколегированные слои.Таким образом, все основные этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем взаимосвязаны, что приводит иногда к многократному повторению цикла проектирования с целью наиболее полного использования технологических возможностей. В случае, если над поверхностью кристалла между базой n-p-n транзистора и p-изоляцией или любой другой областью р-типа , находящейся в том же изоляционном кармане, будет проходить металлизация, имеющая напряжение, способное создавать инверсию приповерхностного слоя, может образоваться паразитный МДП - транзистор.В процессе проектирования топологии транзистора полупроводниковой ИМС целесообразно проанализировать несколько различных конфигураций, из которых затем можно выбрать вариант, в наибольшей степени удовлетворяющий тому или иному схемотехническому решению. Исходной информацией для проектирования топологии является электрическая или функциональная схема БИС, библиотечный набор элементов, схемотехнические, технологические и конструктивные ограничения.Проектирование топологии БИС производится последовательным выполнением этапов 1 - 4, причем по мере необходимости с последнего этапа может осуществляться возврат на второй этап.