Строение полупроводникового материала группы АIIIВV – GaAs, сравнение свойств арсенида галлия со свойствами кремния, способы получения, использование в качестве деталей транзисторов. Перспективы развития технологии изготовления приборов на его основе.
Аннотация к работе
История развития арсенида галлия 1. Строение GaAs и его свойства 1.1 Строение GaAs. Кристаллическая структура 1.2 Сравнительная характеристика свойств GaAs и Si 2. Зонная плавка 2.4 Ионная имплантация 3. Приборы на основе GaAs 4.1 Диоды 4.2 Полевые транзисторы 4.3 Биполярные транзисторы 4.4 Оптоэлектронные приборы 4.5 Новые приборы на GaAs Заключение Введение. История развития арсенида галлия В настоящее время более 90% всех полупроводниковых приборов изготовляется на основе кремния. В тоже время свыше 70% научных и технических публикаций в области полупроводников и полупроводниковых приборов посвящено исследованию соединений типа АIIIВV. Создание технологии производства приборов на GaAs началось в начале 50-х годов. Первые транзисторы на GaAs, превосходящие в то время кремниевые и приближающиеся по параметрам в диапазоне СВЧ к германиевым, были описаны в 1961 г. американскими учёными М. Джонсом и Е. Вурстом. В 1965 г. были изготовлены первые ЛПД, в которых использовались p-n-переходы. Для выращивания тройных соединений, например GaAsP, использовалась эпитаксия из жидкой фазы (ЭЖФ), а также исследовалась возможность создания эпитаксиальных слоёв методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Структуру в случае GaAs можно представить как взаимно проникающие гранецентрированные решётки атомов Ga и As, сдвинутые друг относительно друга на четверть главной диагонали (Рис.1.2).