Постоянные запоминающие устройства ПЗУ (ROM): МасочныеПерепрограммиtrialе ПЗУ (репрограммируемые - РПЗУ) РПЗУ-УФ (стирание ультрафиолетом): На основе транзистора с плавающим затвором. диэлектрик Программирование выполняют подачей напряжения исток (И) - И металл С сток (С) порядка 20 В, происходит лавинный пробой p-n перехода. Электроны, находящиеся на затворе, создают поле, мешающее созданию p канала между истоком и стоком. Стирание: подается напряжение И-С порядка 20 В, а на затвор подается небольшое отрицательное напряжение => поле затвора выталкивает электроны из плавающего затвора.