Теорія фононного та поляронного станів в анізотропних напівпровідникових квантових ямах. Залежність середньої кількості віртуальних фононів полярона від хвильового вектора. Аналіз енергетичного спектра в гетероструктурах із плоскою квантовою ямою.
Аннотация к работе
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наукТеорія полярон них станів у наногетеросистемах розроблялась у багатьох роботах. Проте у більшості досліджень вивчалась залежність енергії та ефективної маси полярона від основних параметрів гетеро систем (констант електрон-фононної взаємодії, діелектричних проникностей середовищ, ширин квантових ям, і т.д.) у точці мінімуму закону дисперсії електрона. Тому при застосуванні теорії до інтерпретації експериментальних результатів, як правило вважається, що закон дисперсії полярона є параболічним, як і для електрона, а різниця полягає лише в іншому значенні ефективної маси. Однак до цього часу залишається недостатньо дослідженою проблема, що стосується залежності енергії полярона не лише від основних параметрів гетеро системи, але й від хвильового вектора. Теоретичне дослідження залежності енергії обмежених, інтерфейс них, напівобмежених фононів та фононів, що поширюються від хвильового вектора для симетричних та несиметричних тришарових наногетеросистем кристалі гексагональної симетрії.У другому розділі теоретично досліджено залежності енергії обмежених, інтерфейсних, напівобмежених фононів та фононів, що поширюються від хвильового вектора для симетричних та несиметричних тришарових наногетеросистем кристалів гексагональної симетрії. Як видно з наведеного графіка, в області малих значень хвильового вектора як для масивного кристалу, так і для квазідвовимірної гетеросистеми чи двовимірного кристалу закон дисперсії має параболічний характер. Для кристалу CUCL та гетеросистеми скло/CUCL/скло з більшою величиною отримано, що якісно закони дисперсії полярона аналогічні до кристалу CDSE та гетеросистеми скло/CDSE/скло. Знаючи функцію, можна визначити середнє число віртуальних фононів, що охоплюють електрон: Видно, що зі збільшенням функція монотонно зростає, що повністю узгоджується з наведеним вище висновком про зростання ефективної електрон-фононної взаємодії при збільшенні . З рис.7, де показано внески в густину станів основного рівня різних фононних віток коливань, видно, що визначається інтерфейс ними фононами, тоді як внесок обмежених і напівобмежених досить малий.