Классификация интегральных тензопреобразователей давления. Изучение технологических этапов изготовления интегральных тензопреобразователей. Принципы размещения тензорезисторов на мембранах полупроводниковых интегральных тензопреобразователей давления.
Аннотация к работе
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДАТЧИКИ ДАВЛЕНИЯЛюбое приложенное извне механическое воздействие, достаточное для изменения расстояния между ближайшими соседними атомами в кристаллической решетке, приводит к изменению энергии взаимодействия между ними, а следовательно, к изменению вида потенциальной энергии в уравнении Шредингера и к изменению энергетической зонной структуры полупроводника (плотности состояний в разрешенных зонах или ширины запрещенной зоны). Тензорезистивным эффектом, или тензосопротивлением, называется изменение электрического сопротивления полупроводника в результате действия нагрузки, создающей деформацию. Величина или представляет собой изменение удельного сопротивления в результате действия нагрузки, вызывающей деформацию и напряжение в полупроводнике. Если сжать кристалл кремния вдоль оси [100], то расстояния между атомами в этом направлении уменьшатся, энергия взаимодействия между электронами соседних атомов для этого направления возрастет, а для направлений [010] и [001] уменьшится. Следовательно, в качестве базы диода необходимо выбирать полупроводник, в котором неосновные носители - электроны, т.е. полупроводник р-типа, а значит, переход n-р-типа (рис.