Функціонал електронної густини Кона-Шема. Локальне та градієнтне наближення для обмінно-кореляційної взаємодії. Одержання та застосування квантово-розмірних структур. Модель квантової ями на основі GaAs/AlAs. Розрахунки енергетичних станів фулерену С60.
Аннотация к работе
Міністерство освіти і науки, МОЛОДІ ТА СПОРТУ україни ДЕРЖАВНИЙ ВИЩИЙ НАВЧАЛЬНИЙ ЗАКЛАД “Ужгородський національний університет” фізичний факультет кафедра фізики напівпровідників Магістерська робота Першопринципні розрахунки енергетичних станів електронної підсистеми у матеріалах з розмірним квантуванням УЖГОРОД - 2011 РЕФЕРАТ В даній кваліфікаційній роботі бакалавра теорію функціонала електронної густини, було застосовано для дослідження енергетичної зонної структури квантової ями (AlAs)3/GaAs/(AlAs)3 та фулерена С60. ЗМІСТ ВСТУП РОЗДІЛ 1.ТЕОРІЯ ФУНКЦІОНАЛА ЕЛЕКТРОННОЇ ГУСТИНИ І ЇЇ ЗАСТОСУВАННЯ ДО КВАНТОВО-РОЗМІРНИХ СТРУКТУР 1.1 Функціонал електронної густини Кона-Шема. Локальне та градієнтне наближення для обмінно-кореляційної взаємодії 1.1.1 Функціонал електронної густини Кона-Шема 1.1.2 Локальне та градієнтне наближення для обмінно-кореляційної взаємодії 1.2 Класифікація, методи одержання, основні властивості та застосування квантово-розмірних структур 1.2.1 Класифікація квантово-розмірних структур 1.2.2 Методи одержання квантово-розмірних структур 1.2.3 Основні властивості квантово-розмірних структур 1.2.4 Застосування квантово-розмірних структур РОЗДІЛ.2. РОЗРАХУНКИ ЕНЕРГЕТИЧНИХ СТАНІВ КВАНТОВОЇ ЯМИ ТА ФУЛЕРЕНА С60 2.1 Модель одиничної квантової ями на основі GaAs/AlAs 2.2 Розрахунки енергетичних станів фулерену С60 ВИСНОВКИ ЛІТЕРАТУРА ВСТУП За останні десятиліття центром уваги в розвитку фізики стали матеріали з розмірним квантуванням. Першим цей ефект виявив японець Лео Есакі на класичних матеріалах GaAs та AlAs, за що і був нагороджений Нобелівською премією [1]. При обмежені безмежного кристала потенціальними бар’єрами або при створені границь виникають дискретні рівні квантування. Для того щоб спостерігався даний ефект необхідно щоб виконувалася умова, що довжина вільного пробігу електрона повинна бути більша за ширину потенціальної ями [2]. У класичних феромагнетиках (Fe, Co, Ni та їх сплави) величина зміни опору при паралельній орієнтації поля і струму (поздовжній гальваномагнітний ефект) при кімнатній температурі у феромагнітному залізі і нікелі відповідно складає 0.07% і 1.5% в полі Н=10 кілоерстед. Оволодіти методикою першопринципних розрахунків просторового розподілу густини валентного заряду, енергетичного спектру та густини станів. 2. Отже n(r) неявно визначає всі властивості, які дістанемо з Н шляхом розв’язку залежного або не залежного від часу рівняння Шредінгера. Після того, як опублікували теорію Томаса-Фермі, Хартрі [9] запропонував систему самоузгоджених одночастинкових рівнянь для наближеного опису електронної структури атомів. Вираз для обмінного вкладу, в атомних одиницях записується: (1.30) а пізніше - Д.М. Ціперлі [19] за допомогою метода Монте-Карло обрахував з точністю .