Варіанти технологічного процесу формування К–МОН структур цифрових компараторів, що забезпечують підвищення швидкодії. Схемотехнічні та технологічні рішення цифрових компараторів високої швидкодії, реалізованих з використанням кремнієвої технології.
Аннотация к работе
Вхідний каскад компаратора повинен витримувати широкий діапазон вхідних напруг між інвертуючим і неін-вертірующім входами, аж до високої напруги живлення, і швидко відновлюватися при зміні знака цієї напруги. Входной каскад компаратора должен выдерживать широкий диапазон входных напряжений между инвертирующим и неинвертирующим входами, до высокого напряжения питания, и быстро восстанавливаться при изменении знака этого напряжения. Компаратори поділяють на дві групи: пристрої, які виявляють лише факт рівності або нерівності двох п-розрядних двійкових чисел і формують на своїх виходах однобітовий сигнал рівності (1) або нерівності (0) цих чисел, та пристрої, що виявляють співвідношення (>, =, <) між двома п-розрядними двійковими числами. При цьому концентрація легуючої домішки повинна бути достатньо високою, щоб переконуватись домішку n-типу, і забезпечити необхідний рівень легування в р-кишені (рис. Формування інтегральних і цифрових компараторів за таким варіантом визначає використання слабо-легованих підкладок і провідністю n-типу (J-nтипу), або p, n-типу.
Список литературы
1. Коледов, Я. А. Конструктированые и технология мікросхем. Курсовое проектирование [Текст]: учеб. пос. для вузов / Я. А. Коледив, В. А. Волков, Н. К. Докучаев; под ред. П. А. Коледова. - М.: Высшая школа, 1992 - 231 с.
2. Чистяков, Ю. Д. Технология СБИС [Текст]: в 2-х кн. / под ред. С. Зи; пер. с англ. Ю. Д. Чистякова. - М.: Мир, 1986. - Кн. 2. - 455 с.
3. Айнспрук, Н. У. Арсенид галлия в микроелектронике [Текст] / У. Уиссмен, У. Френсли, У. Дункан и др.; под ред. Н. Айнспру-ка, У. Уиссмена; пер. с англ. под. ред. В. Н. Мордковича. - М: Мир, 1988. - 554 с.
4. Ди Лоренцо, А. В. Полевие транзисторы на арсениде галлия. Принципы работи и технология изготовления [Текст] / под ред. А. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола; пер с англ. под ред. Г. В. Петрова. - М.: Радио и связь, 1988. - 489 с.
5. Ватанаба, Н. Проектирование СБИС [Текст] / Н. Ватанаба, К. Асада, К. Кани, Т. Оцуки; пер с англ. под ред. Л. В. Поспелова. - М.: Мир, 1988. - 304 с.
6. Новосядлий, С. П. Суб-наномікрона технологія структур ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий. - Івано-Франківськ: Місто НВ, 2010 - 456 с.
7. Новосядлий, С. П. Фізико-технологічні основи субмікронної технології ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий. - Івано-Франківськ: Сімик, 2003. - С. 52-54.
8. Новосядлий, С. П. Радіаційна технологія при формуванні, субмікронних структур ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий // Металофізика і новітні технології. - 2002. - № 7. - С. 1003-1013.
9. Новосядлий, С. П. Формування кремнієвих епітаксійних структур для суміщених Ві - К - МОН і Д - МОН технологій ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий // Металофізика і новітні технології. - 2002. - Т. 24, № 3. - С. 353-365.
10. Березин, А. С. Технология конструирования ИС [Текст] / А. С. Березин, О. Р. Могалкин. - М.: Дис. - 1992. - 254 с. 11. Алексеенко А. Г. Основы микросхемотехники [Текст] / А. Г. Алексеенко. - М.: Лаб. баз знаний. - 2002. - 286 c.
12. Павлов, В. М. Схемотехника аналогових схем [Текст] / В. М. Павлов, В. М. Ночин. - М.: Гор. мик-техника, 2001. - 320 с.