Некристалічні напівпровідникові халькогеніди застосовуються в системах реєстрації, збереження й обробки оптичної інформації. При взаємодії світла з ними в них відбуваються фотостимульовані перетворення, які приводять до зміни показника заломлення.
Аннотация к работе
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ УЖГОРОДСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ФІЗИЧНИЙ ФАКУЛЬТЕТ КАФЕДРА ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НЕКРИСТАЛІЧНИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ХАЛЬКОГЕНІДІВ Курсова робота Ужгород-2006 ВСТУП РОЗДІЛ 1.СТРУКТУРНІ ОСОБЛИВОСТІ АМОРФНИХ ХАЛЬКОГЕНІДІВ 1.1.Загальна характеристика аморфного стану 2.2.Структурні моделі 2.2.1.Ge1-хХх 2.2.2.Аs1-xХx 1.2. Вплив зміни координації на оптичні властивості халькогенідів РОЗДІЛ 2.ФОТОІНДУКОВАНІ ЗМІНИ ОПТИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ ТОНКИХ ШАРІВ НЕКРИСТАЛІЧНИХ ХАЛЬКОГЕНІДІВ 2.1. Механізм зворотних фото індукованих змін РОЗДІЛ 3.КОНЦЕНТРАЦІЙНІ ЗАЛЕЖНОСТІ ОПТИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ МОДИФІКОВАНИХ СТРУКТУР ТИПУ (X-Te,Bi,Pb) ВИСНОВОК СПИСОК ВИКОРИСТАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ ВСТУП Некристалічні напівпровідникові халькогеніди знайшли широке застосування в системах реєстрації, збереження й обробки оптичної інформації. Перетворення аморфного матеріалу в кристалічний відбувається в результаті утворення зародків та їх наступного росту, а не однорідної перебудови атомної структури. 2.2.Структурні моделі Найпростіша структурна модель бінарної системи представляє собою неперервну сітку звязку (НСЗ), в якій виконується координаційне правило 8-N для обох компонент при довільному їх співвідношенні [5]. Наприклад, у As1-xSеx при довільному значенні х кожний атом Аs має потрійну координацію, а кожний атом Sе - подвійну. Однак, якщо сили звязків різних пар атомів суттєво відрізняються, причому гетерополярний звязок є найсильнішим, то переважаючою може виявитись модель хімічно упорядкована сітка звязку(УСЗ). Розглянемо детально ряд систем. Мал. 2.Спектри ІЧ відбивання і КРС лля двох сплавів системи Ge1-хSх (х = 0,67, х = 0,63). Інфрачервоні спектри і спектри КРС у системах Аs-S і Аs-Sе зображено на мал.4. Як передбачається в цій моделі, внаслідок електрон-фононної взаємодії виявляється енергетично вигідним електронне спарення на дефектах, які в тому випадку коли вони нейтральні (D°), мають орбіталі, що містять один електрон. Тут D - пустий дефект, а D- - дефект, що має два електрони.