Вивчення дисперсійних залежностей фононних станів оксиду цинку в напрямку Г – А зони Бріллуена. Особливості взаємодії елементарних збуджень електронного типу в монокристалах ZnO та CdSe та низькотемпературних спектрів лазеру нанокристалічного ZnO.
Аннотация к работе
Представником подібного класу матеріалів є оксид цинку, який завжди широко використовувався в різних галузях науки і техніки, зокрема, в акусто-, мікро-, оптоелектроніці, металургії, енергетиці, при виготовленні люмінофорів, композиційних та полімерних матеріалів, стекол, керамік, фарб та іншого. Беручи до уваги викладені аргументи, дослідження фундаментальних оптичних властивостей ZNO та CDSE є необхідним, оскільки забезпечує чітке розуміння механізмів рекомбінації, що має важливе значення для оптимізації структури та роботи різних пристроїв, в яких використовуються ці матеріали. 2) теоретично розрахувати правила відбору для процесів другого порядку та топологію екстремальних значень густини станів двочастинкових збуджень фононного та електронного типів; застосувати результати розрахунків для аналізу експериментально отриманих спектрів фононних збуджень у монокристалах ZNO; вперше на основі апарату проективних представлень розраховані правила відбору для матричних елементів імпульсу та вперше визначено число ненульових компонент тензора оберненої ефективної маси, що дає можливість впровадити методику розрахунку густини станів двочастинкових збуджень фононного, електронного типів та визначити тип ізоенергетичних поверхонь в кристалах зі структурою вюрциту; Практичне значення отриманих результатів полягає в можливості використання визначених на основі апарату проективних представлень правил відбору для матричних елементів імпульсу та ненульових компонент тензора оберненої ефективної маси для розрахунку густини станів двочастинкових збуджень фононного та електронного типів у різних кристалах зі структурою вюрциту, а також як обовязковий етап аналізу спектрів КРС другого порядку; в важливості для оптимізації структури та роботи нових приладів функціональної електроніки, в яких використовуються ZNO та CDSE, пояснення механізмів рекомбінації, зокрема, за рахунок основних поляритонних станів в цих монокристалах; в можливості оцінки розмірів кластерів нанокристалічних порошків за допомогою зсуву фононних повторень вільних екситонів.