Основные механизмы отказа биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) при коротком замыкании нагрузки и выключении индуктивной нагрузки. Существующие методы тестирования IGBT приборов и базисные требования к неразрушающему методу контроля.
Аннотация к работе
Отказ IGBT приборов происходит по двум основным причинам - лавинный пробой при выключении и тепловая форма вторичного пробоя при жестком коротком замыкании. При определении надежностных характеристик IGBT обычно применяют два режима тестирования, являющихся наиболее жесткими режимами работы приборов: тестирование на короткое замыкание и выключение индуктивной нагрузки. При тестировании в режиме короткого замыкания через транзистор протекает ток короткого замыкания при падении полного напряжения питания на приборе. Режим «мягкого» короткого замыкания происходит, если короткое замыкание появляется в то время, когда прибор находится во включенном состоянии, т.е. Режим «жесткого» короткого замыкания происходит, когда прибор переходит из выключенного во включенное состояние с коротким замыканием нагрузки, и, следовательно, с напряжением питания, приложенным непосредственно к прибору.