Полярность напряжения, приложенного между выводами базы. Структура неуправляемого тиристора. Основные параметры динистора. Схема включения n-p-n-фототранзистора с оборванной базой. Условное обозначение (маркировка) полупроводниковых приборов, их виды.
Аннотация к работе
После того как откроется p-n-переход, внутреннее падение напряжения в базе резко уменьшается, поскольку из эмиттера (области с высокой концентрацией примеси) в базу (область с низкой концентрацией примеси) инжектируются подвижные носители заряда (здесь - дырки), в результате чего их число в базе резко увеличивается и уменьшается сопротивление базы. Поскольку внутреннее обратное напряжение уменьшилось, возрастет эмиттерный ток и увеличится падение напряжения на резисторе , а напряжение между эмиттером и базой уменьшится, т.е. однопереходный транзистор проявляет свойства отрицательного дифференциального сопротивления на участке эмиттер-база. Принцип действия тиристора можно понять, рассматривая его как комбинацию двух транзисторов с разным типом проводимости, база одного из которых объединена с коллектором другого и наоборот (рис. Этот процесс развивается лавинообразно, и когда сумма значений и станет равной единице, ток , согласно выражению (1.7), резко увеличится (динистор включится), увеличится и падение напряжения на внешнем резисторе , а напряжение между анодом и катодом динистора уменьшится. Поскольку в базе рекомбинирует только небольшая часть носителей заряда, пришедших из эмиттера, основная часть носителей заряда переходит в коллектор, создавая во внешней цепи ток , который значительно больше тока, образованного неосновными носителями заряда базы, возникшими в результате фотогенерации, т.е. фототранзистор усиливает начальный фототок.