Отримання чистих металів. Класифікація способів розділення і очистки матеріалів. Метод хімічно–транспортних реакцій. Дисталяція, ректифікація, рідинна екстракція. Сорбційні способи очищення. Метод йодидної очистки. Сублімація та перекристалізація.
Аннотация к работе
ЗМІСТ Вступ 1. Вимоги до чистоти матеріалів 2. Класифікація способів розділення і очистки матеріалів 2.1 Метод хімічно-транспортних реакцій 2.2 Дисталяція і ректифікація 2.3 Сублімація 2.4 Перекристалізація 2.5 Процеси рідинної екстракції 2.6 Сорбційні способи очищення 2.7 Метод йодидної очистки 2.8 Інші процеси розділення і очищення речовин Висновки Перелік використаних інформаційних джерел ВСТУП чистий метал ректифікація перекристалізація З кожним роком напівпровідникові матеріали все більше проникають в різні галузі науки і техніки. Розвиток напівпровідникової електроніки вимагає від хімічної промисловості і напівпровідникової металургії матеріалів високої чистоти з різним, але контрольованим вмістом домішок. Сучасна електроніка предявляє особливо високі вимоги до чистоти застосовуваних матеріалів, оскільки саме від чистоти вихідних речовин багато в чому залежить якість і надійність роботи електронних приладів. В основі всіх способів глибокої очистки діелектричних і напівпровідникових матеріалів і їх компонентів використовується відмінність в хімічних, фізичних і фізико-хімічних властивостях компонентів, що розділяються. Звідси слідує що при істотній відмінності у властивостях компонентів, розділення може здійснюватися відносно легко, і навпаки, проблема очистки стає складною в тому випадку, якщо матеріал, що очищується, і домішки дуже близькі по своїх фізико-хімічних характеристиках. В хімічній і металургійній промисловості, в залежності від степеня очистки матеріалу встановлюють слідуючі класи: 1)чистий (вміст основної речовини ? 98 %, вміст домішок 0,01- 0,5%); 2) чистий для аналізу (вміст основної речовини ? 99 %, вміст домішок до 0.1 %); 3) хімічно чистий (вміст основної речовини ? 99 %, вміст домішок 10-3-10-5 %) 4) особливо чистий (вміст основної речовини близько 100 %, вміст домішок 10-5-10-10 %). Фізично чисті речовини потрібні як основа для виготовлення з них легованих матеріалів для кристалічних, радіотехнічних приладів, випрямлячів, фотоелементів та інших пристроїв техніки. Метод був запропонований В. Дж. Пфанном у 1952 році і з тих пір завоював велику популярність.