Роль электроники в развитии электронного приборостроения и микроэлектроники. Физические основы полупроводниковых приборов. Конструкция сплавных, диффузионных, планарных и точечных диодов. Конструкция сплавного и планарного биполярного транзистора.
Аннотация к работе
Программа по дисциплине “Электроника” базируется на знаниях следующих дисциплин: “Математика” (дифференцирование, интегрирование, решение дифференциальных уравнений, векторный анализ, теория функций комплексного переменного);Электронно-дырочный (p-n) переход. контактная разность потенциалов (потенциальный барьер), ширина p-n-перехода. Математическая модель идеального p-n-перехода, его вольтамперная характеристика (ВАХ) и основные параметры. Зависимость ВАХ и параметров р-n-перехода от температуры. Динамический (нагруженный) режим работы транзистора. Конструкция, принцип действия, вольтамперные характеристики и параметры полевых транзисторов с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором со встроенным и индуцированным каналами (МДП-транзисторы).