Рассмотрение современных технологий создания IP-модулей и СФ-блоков систем на кристалле. Определение физических свойств цилиндрических круглых проводников, подводящих к индуктивности ток. Характеристика полной погонной индуктивности круглого проводника.
Аннотация к работе
Современные технологии создания IP - модулей и СФ-блоков систем на кристалле используют индуктивности, величины которых лежат в диапазоне от 0,1 НГН до 10 НГН [1-3] и применяются в схемах усилителей мощности [4], в составе активных фильтров СВЧ-диапазона [5-7], пассивных трансформаторов [8], устройствах оптической связи [9] и т.д. Как показано в [10], важнейшим физическим свойством цилиндрических круглых проводников, подводящих к индуктивности ток, является их погонная индуктивность. Проведенные в [10] расчеты указывают на то, что ее значение складывается из двух составляющих: индуктивности, которая связана с потоком магнитного поля, возникающего в области протекания тока, и индуктивности, которая связана с магнитным полем, возникающим вне тока. кристалл проводник индуктивность погонный В связи с этим, полная погонная индуктивность круглого проводника зависит от двух параметров: постоянного значения токовой индуктивности Lc/l=m0/4p и безразмерного параметра среза поля x0=r0/R, где l - длина проводника, r0 - радиус среза поля, R - радиус проводника, m0 - магнитная постоянная. Значение b0 совпадает с L0 а значение b1 будет совпадать с неизвестным значением погонной индуктивности Lп.Предложен метод измерения погонной индуктивности и параметра среза магнитного поля, использующий в своей основе обработки результатов измерений линейную регрессию. Метод заключается в том, что к известной индуктивности L0 подключаются одинаковые участки круглого проводника с одним диаметром, но различной длиной l0. Он заключается в проведении двух измерений: первый раз измерение индуктивности проводится на длине шлейфа l0, а второй раз - на длине шлейфа, укороченной в N раз.