Інтерметаліди галію та рідкісноземельних елементів. Синтез, структура, властивості - Автореферат

Для розвязання цієї проблеми необхідно мати повну інформацію про сполуки, що утворюються під час реакцій холодної пайки, структура та властивості яких визначатимуть характеристики кінцевого продукту. При холодній пайці утворюються, в основному, сполуки, які знаходяться в рівновазі з рідким галієм, тому одержання сплавів, придатних для вимірювання резистивних властивостей, можливе тільки після дослідження фазових рівноваг у відповідних системах і вивчення кристалічної структури фаз, які вони містять, що дає можливість правильно підібрати суміш для пайки, адже вільний галій, який не прореагував, буде “розїдати” запаяні деталі з утворенням нових “небажаних” сполук. Дослідження систем з двома рідкісноземельними елементами та Галієм дозволяє простежити вплив розмірного фактору при заміні R-компонента на структуру сполук та властивості сплавів, що буде корисним для пошуку та розробки нових матеріалів за участю двох і більше рідкісноземельних елементів одночасно, а це, в свою чергу, дасть змогу використати ще нерозділені рідкісноземельні метали, завдяки чому різко зменшиться їхня вартість. “Синтез нових інтерметалічних сполук, дослідження їх структури і властивостей з метою пошуку нових неорганічних матеріалів” (1997-1999 рр., № держреєстрації 0197U018093); здобувач виконував частину робіт. Мета дослідження - встановити основні фізико-хімічні закономірності взаємодії компонентів у потрійних системах за участю рідкісноземельних металів з Галієм і металами чи металоїдами на основі результатів власних досліджень та літературних даних, вивчити кристалічну структуру і структурні взаємозвязки синтезованих ґалідів та деякі їхні електричні властивості.Питомий електроопір вивчено для тернарних сполук зі структурою типу (СТ) THMN12 в системах R-Fe-Ga, для яких залежність r(Т) майже лінійна, що пояснюється розсіюванням електронів провідності лише на фононах при високих температурах. В потрійних системах за участю РЗМ та Галію, в основному, тернарні сполуки утворюються на окремих ізоконцентратах РЗМ, що відповідають складам бінарних сполук систем РЗМ-Ga та РЗМ-М. Проаналізовано межі існування сполук в системах РЗМ з Галієм та металами чи металоїдами на ізоконцентратах 0.33, 0.25 та 0.20 ат. частки РЗМ в залежності від співвідношення електронегативностей R/X. Як і слід було очікувати, при більшій різниці електронегативностей компонентів утворюються сполуки зі структурами, що є характерними для речовин з деякою часткою ковалентності в звязках (один з проявів - скорочення міжатомних віддалей), а при невеликій різниці - навпаки з структурними типами з більшим вкладом металічного типу звязку. Кумулятивний аналіз власних результатів та літературних даних показав, що всі тернарні сполуки в системах з перехідними металами знаходяться на окремих ізоконцентратах РЗМ і не мають областей гомогенності із заміщенням РЗМ на перехідний метал або Галій, за винятком деяких сполук з Sc та фаз із структурами, похідними від типу CACU5.Синтезовано 139 нових інтерметалідів та вивчено кристалічну структуру 154 сполук. Узагальнено літературні та одержані автором відомості про взаємодію Галію з рідкісноземельними металами в подвійних системах і з металами або металоїдами в потрійних і чотирикомпонентних системах. Встановлено, що максимальна розчинність третього компонента в межах однієї системи спостерігається в бінарних сполуках, які плавляться конгруентно, дещо менша розчинність - у сполуках з перитектичним способом утворення і найменше розчиняють третій компонент сполуки, що утворюються по твердофазній реакції. В системах РЗМ-M-Ga тернарні сполуки утворюються, в основному, на окремих ізоконцентратах РЗМ (0.33, 0.25, 0.20 ат. частки) та при певному співвідношенні атомів меншого розміру (M:Ga=1:1, M:Ga=1:2 або 2:1). Проведено детальний опис 201 структурного типу (з них 9 нових), в яких кристалізуються ґаліди рідкісноземельних металів із металами та металоїдами; проведено їхній кристалохімічний аналіз і встановлено структурні взаємозвязки.

2. Основний зміст

1. Вперше вивчено хімічну взаємодію компонентів і побудовано ізотермічні перерізи діаграм стану в повному концентраційному інтервалі для 29 та частково для семи потрійних металічних систем за участю Галію та рідкісноземельних елементів. Синтезовано 139 нових інтерметалідів та вивчено кристалічну структуру 154 сполук. Розшифровано кристалічну структуру девяти нових структурних типів.

2. Узагальнено літературні та одержані автором відомості про взаємодію Галію з рідкісноземельними металами в подвійних системах і з металами або металоїдами в потрійних і чотирикомпонентних системах. Встановлено закономірності будови діаграм фазових рівноваг в залежності від положення елементів у періодичній системі, величин їхніх електронегативностей, атомних радіусів. Систематизовано відомості про 16 подвійних та 1394 потрійних систем.

3. Встановлено, що максимальна розчинність третього компонента в межах однієї системи спостерігається в бінарних сполуках, які плавляться конгруентно, дещо менша розчинність - у сполуках з перитектичним способом утворення і найменше розчиняють третій компонент сполуки, що утворюються по твердофазній реакції. В системах РЗМ-M-Ga тернарні сполуки утворюються, в основному, на окремих ізоконцентратах РЗМ (0.33, 0.25, 0.20 ат. частки) та при певному співвідношенні атомів меншого розміру (M:Ga=1:1, M:Ga=1:2 або 2:1). Описано спорідненість структур в межах однієї хімічної системи.

4. Проведено детальний опис 201 структурного типу (з них 9 нових), в яких кристалізуються ґаліди рідкісноземельних металів із металами та металоїдами; проведено їхній кристалохімічний аналіз і встановлено структурні взаємозвязки. За систематикою П.І. Крипякевича структури відносяться до 10 класів з наступним розподілом: клас 1 - 19 структурних типів, 2 - 8, 5 - 36, 7 - 3, 8 - 24, 9 - 10, 10 - 96, 11- 4, 12 - 1, 14 - 4. Структури сполук із вмістом Галію до 0.50 ат. частки містять фраґменти (плоскі або деформовані гексагональні сітки), характерні для структури галію. Узагальнено опис структурних типів, які знаходяться на одній ізоконцентраті РЗМ, що виводяться один з одного деформаційним перетворенням. Структурні типи сполук на різних ізоконцентратах РЗМ виводяться включенням-відніманням атомів або заміщенням атомів РЗМ на атоми меншого розміру.

5. Вперше на прикладі структурних типів із кубічною симетрією запропоновано систематику структурних типів як укладки поліедрів навколо атомів більшого розміру та генезис структурних типів, утворених поступовим заміщенням частини атомів або групи атомів (поліедрів) на іншу групу атомів, що полегшує опис та розуміння складних структур. Структури окремих сполук є надструктурами до бінарних сполук. Інші структурні типи ґалідів виводяться з простих типів заміщенням частини атомів, деформацією, додаванням або відніманням атомів та різноманітними способами сполучення фрагментів простих типів.

6. Проведено аналіз міжатомних відстаней та визначено ефективний радіус атомів Галію в інтерметалічних сполуках з рідкісноземельними елементами. В залежності від вмісту РЗМ та координаційного оточення атомів Галію він змінюється в межах 0.124-0.140 нм. Встановлено, що атоми Галію можуть утворювати окремі ізольовані кластери у вигляді пар, трикутників, квадратів, тетраедрів, тетрагональних пірамід, пірамід з додатковим атомом і тетрагональних біпірамід. Визначальними при формуванні структури ґалідів є звязки Ga-Ga та M-Ga, на що вказує лінійний характер зміни параметрів елементарних комірок у межах існування твердих розчинів і зменшення кількості сполук в потрійних системах при збільшенні вмісту РЗМ. Для відомих у літературі сполук із скороченими відстанями Ga-Ga, запропоновано інтерпретацію цих відстаней як результат стеричного фактора при розташуванні атомів Галію.

7. Вивчено на прикладі систем РЗМ-Y-Ga вплив розмірів атомів РЗМ на кристалічну структуру сполук. Встановлено, що збільшення значення співвідношення RРЗМ:RM,Ga приводить до переходу від КЧ=12 для атомів меншого розміру та КМ у вигляді ікосаедра до КЧ=8 (6) і КМ у вигляді тетрагональної антипризми (тригональної призми).

8. Проведено порівняння досліджених систем з системами за участю Алюмінію, Індію, Силіцію та Ґерманію на прикладі РЗМ-Ni-X. За запропонованим фактором спорідненості (FS - відношення кількості ізоструктурних сполук до загальної кількості сполук Х-компонента та Галію) ґаліди Нікелю найбільш споріднені з алюмінідами, далі слідують силіциди, ґерманіди та індиди. За сумарним фактором спорідненості FS(Al) FS(In) FS(Si) FS(Ge)) потрійні системи за участю РЗМ та Нікелю можна розмістити в такій послідовності: Nd®Y®Pr®Tm®Gd®Sm®Tb®Dy®Lu®Er®H®Yb®Ce®La®Eu.

9. Дослідження електроопору 98 однофазних полікристалічних зразків показало, що в ґалідах домінуючим є металічний тип провідності. Заміна атомів меншого розміру на більші за розміром атоми в межах твердих розчинів приводить до послаблення провідності, підвищує значення їхнього питомого електроопору та зменшує температурний коефіцієнт опору, а у випадку сплавів C58Ge30Ga12 або C33Ge20Ga47 - навіть до напівпровідникового типу провідності. Збільшення вмісту галію в сплавах призводить до зростання їхнього електроопору.

1. Шевченко И.П., Маркив В.Я., Ярмолюк Я.П., Гринь Ю.Н., Федорчук А.А. Фазовые равновесия и кристаллическая структура соединений в системе H-Cu-Ga // Изв. АН СССР. Металлы. - 1989. - №1. - C. 214-217.

2. Grin Yu.N., Chevalier B., Rgl P., Fedrchuk A.A., Gryniv I.A. Physical prperties f binary cerium-gallides and ternary cerium-germanium-gallides // J. Less-Cmmn Metals. - 1991. - Vl. 167. - N2. - p.365-371.

3. Василечко Л.О., Гринь Ю.М., Федорчук А.О. Новые тернарные галлиды со структурой типов KHG2 и CAIN2 // Неорг. материалы. - 1994. - №11. - C. 1409-1411.

4. Wasylechk L.., Grin Yu.N., Fedrchuk A.A. CENI3-type ternary phases in R-Ni-Ga systems {R=Y, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, H, Er, Tm, Yb, Lu} // J. Allys Cmp. - 1995. - Vl. 219. - P.222-224.

5. Гринь Ю.Н., Січевич О.М., Федорчук А.О. Електричні властивості тернарних ґалідів металів Vв групи з структурою типу MNCU2Al // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. - 1996. - вип. 36. - C. 73-75.

6. Мякуш О.Р., Федорчук А.О., Гринь Ю.М. Кристалічна структура сполуки H5Ru0,72Ga2,28 // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. - 1996. - вип. 36. - C. 33-34.

7. Федорчук А.А., Стародуб П.К., Конюшко Н.Б. Кристаллическая структура соединения Lu0,3-0,5Y0,7-0,5Ga3 // Неорг. материалы. - 1998. - Т. 34. - №2. - C. 194-195.

8. Мякуш О.Р., Федорчук А.А., Рыхаль Р.М. Кристаллическая структура соединений YRH0,38Ga1,62, YPD0,38Ga1,62 и YPD0,32Ga1,68 // Журн. неорг. химии.- 1998. - Т. 43. - №4. - C. 544-546.

9. Рихаль Р., Гладишевський Є., Мякуш О., Федорчук А. Кристалічна структура сполуки Ce2Ru3Ga9 // Вісн. Держ. ун-ту “Львівська політехніка”. - 1997. - №332. - C. 7-9.

10. Токайчук Я., Федорчук А., Мокра І. Взаємодія компонентів в системі LASI2-LAGA2 // Вісн. Держ. ун-ту “Львівська політехніка”. - 1997. - №332. - C. 14-15.

11. Мякуш О.Р., Федорчук А.А., Зелинский А.В. Кристаллическая структура соединений состава R26(RUXGA1-Х)17, (R=Ce, Gd, Y, Tb, Dy, H, Er, Tm, Lu) и HRU0.6Ga0.4 // Неорг. материалы. - 1998. - Т. 34. - №6. - C. 688-691.

12. Grin Yu.N., Griniv I.A., Sichevich .M., Myakush .R., Fedrchuk A.A., Zelinsky A.V. Ce-Ga-Ge // Red Bk. Cnstitutinal Data and Phase Diagrams f Metallic Systems - 1996. - Vl. 41. - Part 1. - P.1093-1095.

13. Grin Yu.N., Griniv I.A., Sichevich .M., Myakush .R., Fedrchuk A.A., Zelinsky A.V. Ga-Gd-Ge // Red Bk. Cnstitutinal Data and Phase Diagrams f Metallic Systems - 1996. - Vl. 41. - Part 1. - P.1515-1516.

14. painych I.M., Grin Yu.N., Griniv I.A., Sichevich .M., Myakush .R., Fedrchuk A.A., Zelinsky A.V. Ga-Ge-Nd // Red Bk. Cnstitutinal Data and Phase Diagrams f Metallic Systems - 1996. - Vl. 41. - Part 1. - P.1522-1523.

15. Grin Yu.N., Griniv I.A., Sichevich .M., Myakush .R., Fedrchuk A.A., Zelinsky A.V. Ga-Ge-Pr // Red Bk. Cnstitutinal Data and Phase Diagrams f Metallic Systems. - 1996. - Vl. 41. - Part 1. - P.1523-1524.

16. Fedrchuk A.A., Dlnikva T.V., leksyn .Ya. Ga-Ge-Tb // Red Bk. Cnstitutinal Data and Phase Diagrams f Metallic Systems - 1996. - Vl. 41. - Part 1. - P.1525.

17. Dlnikva T.V., Grin Yu.N., Griniv I.A., Sichevich .M., Myakush .R., Fedrchuk A.A., Zelinsky A.V. Ga-Ge-Tm // Red Bk. Cnstitutinal Data and Phase Diagrams f Metallic Systems - 1996. - Vl. 41. - Part 1. - P.1525-1526.

18. Fedrchuk A.A Ga-La-Y // Red Bk. Cnstitutinal Data and Phase Diagrams f Metallic Systems - 1996. - Vl. 41. - Part 1. - P.1548-1549.

19. Myakush .R., Fedrchuk A.A., Grin Yu.N., Zelinsky A.V. Ga-H-Ru // Red Bk. Cnstitutinal Data and Phase Diagrams f Metallic Systems - 1996. - Vl. 41. - Part 1. - P.1528-1529.

20. Gladyshevskii E.I., Myakush .R., Fedrchuk A.A., Zelinsky A.V. Ga-Ru-Y // Red Bk. Cnstitutinal Data and Phase Diagrams f Metallic Systems - 1996. - Vl. 41. - Part 1. - P.1576-1578.

21. Токайчук Я.О., Федорчук А.О., Мокра І.Р. Кристалічна структура сполуки SMGA1,1Si0,9 // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. - 1999. - Вип. 38.- C. 31-33.

22. Федорчук А.О., Дольнікова Т.В., Олексин О.Я. Кристалічна структура та електричні властивості сполуки TBGA2.88-2.52Ge0.12-0.48 // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. - 1999.- Вип. 38. - C. 34-37.

23. Федорчук А.А., Дольникова Т.В. Кристаллическая структура соединения TBGE1,12-1,48Ga0,88-0,52 // Неорг. материалы. - 1999. - Т. 35. - №5. - C. 569-571.

24. Мякуш О.Р., Федорчук А.А., Олексин О.Я., Шолмаер Д. Кристаллическая структура соединения Ce2Ru3Ga5 // Кристаллография. - 1999. - Т. 44. - №5. - C. 824-828.

25. Myakush .R., Fedrchuk A.A. Crystal Structure f HPD2.1Ga3.9 Cmpund // Plish J. Chem. - 2000. - Vl. 74. - P.741-743.

26. Tkajchuk Ya.. , Fedrchuk A.A., Mkra I.R. Interactin amng the Cmpnents in La-Ga-Si System at 870 K // Plish J. Chem. - 2000. - Vl. 74. - P.745-748.

27. Токайчук Я., Федорчук А.О, Мокра І.Р. Потрійна система Pr-Ga-Si // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. - 2000. - Вип. 39. - C. 25-29.

28. Мякуш О.Р., Федорчук А.О. Система Y-Pd-Ga // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. - 2000. - Вип. 39. - С. 21-24.

29. Мякуш О.Р., Федорчук А.О. Система Ce-Ru-Ga // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. - 2001. - Вип. 40. - С. 32-35.

30. Федорчук А.О. Система H-Sm-Ga // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. - 2001. - Вип. 40. - С. 48-51.

31. Myakush .R. Fedrchuk A.A. Interactin amng the cmpnents in Y-Rh-Ga system at 870 K // Plish J. Chem. - 2001. - Vl. 75. - P.1077-1079.

32. Токайчук Я., Федорчук А., Мокра І., Бодак О. Потрійна система Ce-Ga-Si при 870 К // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. - 2002. - Вип. 41.- С. 40-45.

33. Мякуш О.Р., Федорчук А.О., Токайчук Я.О. Кристалічна структура сполуки DYRUGA3 // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. - 2003. - Вип. 43.- С. 36-39.

34. Fedrchuk A., Prts Yu., Schmidt M., Schnelle W., Burkhard U., Schwarz U., Grin Yu. Nvel derivatives f the CAIN2 type f structure: Yb1 XMG1-XGA4 (0?x?0.058) and YLIGA4 // Z. Anrg. Allg. Chem. - 2003. - Vl. 629. - P.2470-2478.

35. Tkaychuk Ya.., Filinchuk Ya.E. Fedrchuk A.., Bdak .I. Partial Sn-atm rdering in Sm3Ga0.80-2.48Sn4.20-2.52 // Acta Cryst. - 2003. -Vl. C59. - P.i125-i127.

36. Федорчук А. Взаємодія компонентів і питомий електроопір деяких сплавів у системах Y-R-Ga, (R=La, Sm, Dy, Tb, Er, H, Tm, Lu) // Праці наукового товариства ім. Шевченка. Хемія і біохемія. - Львів: НТШ, 2003. - Т. Х. - C. 195-204.

37. Tkaychuk Ya.., Fedrchuk A.., Bdak .I., Mkra I.R. Phase Relatins in the Nd-Ga-Si System at 870 K // J. Allys Cmp. - 2004. - Vl. 367. - P.64-69.

38. Голдак О., Токайчук Я., Федорчук А, Мокра І. Кристалічна структура DYGA1.40-1.22Si0.60-0.78 // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. - 2004. - Вип. 44.- C. 41-43.

39. Мякуш О.Р., Федорчук А.О. Кристалічна структура та електричні властивості сполуки HRUGA // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. - 2004. - Вип. 44.- С. 62-66.

40. Федорчук А., Мякуш О., Токайчук Я., Лапунова Р. Нові тернарні сполуки в системі Tm-Fe-Ga та деякі особливості кристалічних структур ґалідів R(M,Ga)2 // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. - 2004. - Вип. 45. - C. 89-97.

41. Burkhardt U., Schmidt M., Niewa R., Schnelle W., Fedrchuk A., Grin Yu. n the Yb valence state f YBGEGA // Hasylab Annual Reprts. - 2004. - P.517-518.

42. Fedyna L.., Bdak .I., Fedrchuk A.., Tkaychuk Ya.. The crystal structure f the new ternary antimnide Dy3Cu20 XSB11-x (x»2) // J. Slid State Chem. - 2005. - Vl. 178. - P.1874-1879.

43. Федорчук А. Кристалічна структура TMFE2.1Ga0.9 та деякі особливості кристалічних структур ґалідів R(M,Ga)3 // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. - 2005. - Вип. 46.- C. 72-79.

44. Fedrchuk A., Prts Yu., Schnelle W., Grin Yu. Crystal structure f eurpium lithium gallium, EULI0.24Ga1.76 // Z. Kristallgr. NCS. - 2005. - Vl. 220. - P.315-316.

45. Fedrchuk A., Prts Yu., Grin Yu. Crystal structures f eurpium magnesium gallium, EUMGXGA4-x, and eurpium lithium gallium, EULIXGA4-x (x=0.5) // Z. Kristallgr. NCS. - 2005. - Vl. 220 - P.317-318.

46. Tkaychuk Y.., Filinchuk Y.E., Fedrchuk A.., Kzlv A.Yu., Mkra I.R. New representatives f the liner structure series cntaining empty Ga/Ge cubes in the Sm-Ga-Ge system // J. Slid State Chem. - 2006. - Vl.179. - P.1323-1329.

47. Bdak ., Demchenk P., Serpegin Yu., Fedrchuk A. Cubic structure types f rare-earth intermetallics and related cmpunds // Z. Kristallgr. - 2006. - Vl. 221. - P.482-492.

48. Резистивний сплав на основі кобальту: Патент на винахід №17367А Україна, С22С 19/07 / Гупало О.П., Федорчук А.О., Січевич О.М. (Україна). - №95010014; Заявл. 02.01.95; Опубл. 31.10.97, Бюл. №5. - 6 с.

49. Резистивний сплав на основі галію: Патент на винахід №17714А Україна, С22С 19/07 / Федорчук А.О., Мякуш О.Р. (Україна) - №95073216; Заявл. 10.07.95. Опубл. 31.10.97, Бюл. №5. - 8 с.

50. Резистивний матеріал: Патент на винахід №20108А Україна, С22С 19/07 / Січевич О.М., Федорчук А.О., Гринь Ю.М., Бодак О.І., Канарейкін В.І. (Україна) №93007663; Заявл. 01.12.93. Опубл. 25.12.97, Бюл. №6. - 8 с.

51. Гринь Ю.Н., Василечко Л.О., Федорчук А.А. Тернарные фазы со структурами типов KHG2 и CAIN2 в системах {Y,Yb}-Ni-Ga // VI Совещание по кристаллохимии неорганических и координационных соединений. Тезисы докл. - Львов: Львов. гос. ун-т, 1992. - C. 173.

52. Wasylechk L.., Grin Yu.N., Fedrchuk A.A. CENI3-type phases in the {Tb, Dy, Er, Tm, Yb, Lu, Y}-Ni-Ga systems // 11th Internatinal cnf. n slid cmpunds f transitin elements. - Wrclaw, 5-8 july 1994. - P.102.

53. Sichevich .M., Grin Yu.N., Fedrchuk A.A. Wasylechk L.. Investigatin f C-Cu-Ga system // 11th Internatinal cnf. n slid cmpunds f transitin elements. - Wrclaw, 5-8 july 1994. - P.69.

54. Мельник Т.Є, Федорчук А.О., Мельник Г.А. Структура та питомий електроопір сплавів системи Y1-XSMXGA2 // Науково-практ. конф. “Львівські хімічні читання”. Тези доп. - Львів: Львів. держ. ун-т, 1995. - C. 103.

55. Мякуш О.Р., Федорчук А.О., Мороз О.І. Взаємодія компонентів та електричні властивості сполук в системі Y-Ru-Ga // Науково-практ. конф. “Львівські хімічні читання”. Тези доп. - Львів: Львів. держ. ун-т, 1995. - C. 81.

56. Fedrchuk A.., leksyn .Ya., Dlnikva T.V., Frankevych D.P. The crystal structure and specific electrical resistance f TBGA2,28-2,52Ge0,12-0,48 // Sixth Internatinal Cnf. n Crystal Chemistry f Intermetallic Cmpunds. - Lviv, 26-29 september 1995. - P.71.

57. Myakush .R., Fedrchuk A.., Frankevych D.P. Crystal chemistry and electric behaviur f the ternary cmpunds H(MXGA1-x)3 (M=Ru, Rh, Pd, Ir, Pt, Ag) // Sixth Internatinal Cnf. n Crystal Chemistry f Intermetallic Cmpunds. - Lviv, 26-29 September 1995. - P.86.

58. Федорчук А.О., Січевич О.М., Мякуш О.Р., Лапунова Р.В. Питомий електроопір сплавів на основі сполук з структурою типу THMN12 в системах РЗМ-Fe-Ga // XIV Україн. конф. з неорганічної хімії. Тези доп. - К.: Київ. нац. ун-т, 1996. - C. 178.

59. Федорчук А.О., Дольнікова Т.В., Зелінський А.В. Кристалічна структура Tb2GAXGE7-x // XIV Україн. конф. з неорганічної хімії. Тези доп. - К.: Київ. нац. ун-т, 1996. - C. 179.

60. Myakush .R., Fedrchuk A.A. Isthermal sectin f the H-Ru-Ga phase diagram at 870 K // First Internatinal Schl “phase diagrams in materials science” - Katsevely, 23-29 September 1996. - P.91-92.

61. Мякуш О., Федорчук А. Кристалічна структура Y3(Rh0,6Ga0,4)2 // Шоста наукова конф. “Львівські хімічні читання-97”: Зб. наук. пр. - Львів: Львів. держ. ун-т, 1997. - C. 31.

62. Опайнич І., Січевич О., Щерба І., Федорчук А. Структура і властивості сполуки Yb(Ga0,85Ge0,15)2 // Шоста наукова конф. “Львівські хімічні читання-97”: Зб. наук. пр. - Львів: Львів. держ. ун-т, 1997. - C. 32.

63. Токайчук Я., Федорчук А., Мокра І. Кристалічна структура SMGA1,1Si0,9 // Шоста наукова конф. “Львівські хімічні читання-97”: Зб. наук. пр. - Львів: Львів. держ. ун-т, 1997. - с. 33.

64. Токайчук Я., Федорчук А., Мокра І. Взаємодія компонентів в системах RGA2-RSI2 // Матер. II Міжн. конф. “Конструкційні та функціональні матеріали”. - Львів: Держ. ун-т “Львівська політехніка”, 1997. - C. 50.

65. Tkajchuk Ya.., Fedrchuk A.., Mkra I.R. Interactin between the cmpnents in the Ce-Si-Ga system // XI Sci. Seminar “Refractry cmpunds synthesis, prperties, applicatin”. - Kiev, 1998. - P.18-22.

66. Токайчук Я., Федорчук А., Мокра І. Взаємодія компонентів в потрійній системі Pr-Ga-Si при 870 К // Сьома наук. конф. “Львівські хімічні читання-99”: Зб. наук праць. - Львів: Львів. нац. ун-т, 1999. - C. 16.

67. Мякуш О., Нога А., Федорчук А. Кристалічна структура сполуки Ypd3Ga7 // Сьома наук. конф. “Львівські хімічні читання-99”: Зб. наук. праць. - Львів: Львів. нац. ун-т, 1999. - C. 17.

68. Fedrchuk A.A., Gryniv I.., Myakush .R., Mkra I.R., Tkajchuk Ya.., Dlnikva T.V., Sichevich .M., Grin Yu. Interactin between the cmpnents in the R-Ge-Ga systems // Sevent intern. Cnf. n crystal chemistry f Intermetallic Cmpunds. - Lviv, 22-25 september 1999. - P.A28.

69. Мякуш О., Федорчук А., Січевич О. Електричні властивості сполук YFEXGA12-x і TMFEXGA12-x // Восьма наук. конф. “Львівські хімічні читання-2001”: Зб. наук. пр. - Львів: Львів. нац. ун-т. - C. Н25.

70. Токайчук Я., Мякуш О., Федорчук А., Січевич О. Електричні властивості ІМС галію // XV Укр. конф. з неорг. хімії за міжнар. участю. Тези доп.- Київ: Київ. нац. ун-т, 2001. - C. 227.

71. Tkaychuk Ya.., Fedrchuk A.., Bdak .I., Mkra I.R. Phase relatins in the Nd-Ga-Si system at 870 K // VIII internatinal cnf. n crystal chemistry f Intermetallic Cmpunds - Lviv, 25-28 september 2002. - P.66.

72. Myakush .R., Fedrchuk A.., Mkra I.R., Tkaychuk Ya.., Zelinskiy A.V., Shpyrka Z.M. The crystal structure f SCAU0.6Ga1.4 cmpund // VIII internatinal cnf. n crystal chemistry f Intermetallic Cmpunds - Lviv, 25-28 September 2002. - P.102.

73. Hldak .S., Mkra I.R., Fedrchuk A.., Myakush .R., Tkaychuk Ya.. The crystal structure f TMGA1.6Si0.4 cmpund // VIII internatinal cnf. n crystal chemistry f Intermetallic Cmpunds - Lviv, 25-28 september 2002. - P.103.

74. Мякуш О., Токайчук Я., Федорчук А. Інтерметалічні сполуки галію як основа для синтезу нових матеріалів // Матер. Міжнародної науково-практичної конф. “Динаміка наукових досліджень” Дніпропетровськ-Дніпродзержинськ-Харків, 28 жовтня - 4 листопада 2002. Т. 16. Хімія. - C. 36-37.

75. Токайчук Я.О., Федорчук А.О., Бодак О.І. Нові тернарні сполуки в системі Sm-Ga-Ge (0-33.3 ат.% Sm) при 870 К // Девята наук. конф. “Львівські хімічні читання-2003”: Зб. наук. пр. - Львів: Львів. нац. ун-т, 2003. - C. Н15.

76. Голдак О., Токайчук Я., Федорчук А., Мокра І. Кристалічна структура DYGA2.81Si0.19 // Девята наук. конф. “Львівські хімічні читання-2003”: Зб. наук. пр. - Львів: Львів. нац. ун-т, 2003. - C. Н21.

77. Fedrchuk A., Prts Yu., Schmidt M., Schnele W., Grin Yu. Crystal Structure and Prperties f YBMGGA4 and YLIGA4 with new superstructure f CAIN2 type // 9th Eurpean Cnf. n Slid State Chemistry. Stuttgart, 3-6 September 2003. - P.276.

78. Fedrchuk A., Prts Yu., Schnelle W., Schmidt M., Grin Yu. Crystal Structure and Prperties f Yb5Mg3Ga7 and YBMGGA // Gemeinsame Jahrestagung. DGK, DGKK und NKOAW- Koln, 28 Februar - 4 Marz 2005. - P.177.

79. Fedrchuk A., Gladyshevskii R. Relatinships between cubic structure types f imc cntaining gallium and are-earths // XII Internatinal Seminar n Physics and Chemistry f Slids. - Lviv, 28-31 May 2006. - P.15.

80. Mykhalichk .B., Fedrchuk A.. Crystal Structure f Er3Cu4.8Ga6.2 // XII Internatinal Seminar n Physics and Chemistry f Slids. - Lviv, 28-31 May 2006. - P.124.