Общее представление о науке электронике. Типология электропроводности и вольтамперные характеристики движения тока. Определение электрической проводимости и свойств диодов. Основные параметры варикапа. Полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды.
Аннотация к работе
ЛЕКЦИЯ №1 ВВЕДЕНИЕЭЛЕКТРОНИКА - это отрасль науки и техники, изучающая: физические явления в электронных приборах; электрические характеристики и параметры электронных приборов; свойства устройств и систем, основанных на применении электронных приборов.Элементы электроники Лампы Полупроводниковые приборы Полупроводниковые интегральные микросхемы Наноматериалы (нанорезисторы, нанотранзисторы)ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ОБРАЗОВАНИЕ И СВОЙСТВА р - n-ПЕРЕХОДА Полупроводниками называются вещества, имеющие удельное электрическое сопротивление в пределах 10-3 - 10 4 Ом?см и занимающие по электропроводности промежуточное положение между металлами и диэлектриками.Полупроводниковые вещества Германий Кремний Селен арсенид галлия фосфид ГАЛЛИЯТИПЫ электропроводности Электронная Дырочная Легирование Донорные и акцепторные ПРИМЕСИЭЛЕКТРОННО-дырочный переход Образование р - п-перехода потенциальный барьер препятствует движению основных носителей заряда и не препятствует движению неосновных носителей ЗАРЯДАЭЛЕКТРОННО-дырочный переход во внешнем электрическом поле: а - к р - п-переходу приложено обратное напряжение; б - к р - n-переходу приложено прямое НАПРЯЖЕНИЕВОЛЬТАМПЕРНАЯ характеристика р-п-ПЕРЕХОДАВОЛЬТАМПЕРНАЯ характеристика р-п-перехода На участке 1 Е вн Е зап , запирающий слой отсутствует, ток определяется только сопротивлением полупроводника. На участке 4 происходит пробой р - п-перехода и обратный ток быстро возрастаетэлектрический пробой р - n-перехода при достижении критической напряженности электрического поля в р - n-переходе за счет энергии поля появляются пары носителей электрон-дырка, и существенно возрастает обратный ток перехода. Для электрического пробоя характерна обратимость, заключающаяся в том, что первоначальные свойства р - n-перехода полностью восстанавливаются, если снизить напряжение на р - n-переходе. Тепловой пробой разрушает р - п-переход .Емкость p - n перехода Закрытый р - n-переход обладает электрической емкостью, которая зависит от его площади и ширины, а также от диэлектрической проницаемости запирающего слоя. При увеличении обратного напряжения ширина р - n-перехода возрастает и емкость С р - n-перехода УМЕНЬШАЕТСЯПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор с одним р - п-переходом и двумя выводами, в котором используются свойства перехода.