Моделювання субмікронних компонентів інтегральних схем на сполуках AIIIBV - Автореферат

бесплатно 0
4.5 133
Методика моделювання, шумові і нелінійні моделі субмікронних польових транзисторів з бар’єром Шотткі. Рівняння нестаціонарних ефектів дрейфу носіїв заряду. Моделювання гетеробіполярних транзисторів. Розрахунок відрізків мікрохвильових ліній передачі.


Заказать написание новой работы



Дисциплины научных работ



Хотите, перезвоним вам?