Изучение механизма роста и кинетики термического окисления, факторы, влияющие на его скорость. Определение толщины оксидного слоя. Анализ методов окисления: в сухом кислороде, с добавлением галогенов, в парах, пирогенное и при повышенном давлении.
Аннотация к работе
Согласно имеющимся экспериментальным данным свежеобработанная поверхность кремния при обычных условиях довольно быстро покрывается слоем оксида толщиной 3-7 нм, после чего процесс дальнейшего окисления практически прекращается. Для продолжения роста пленки, когда необходимо активизировать перенос реагирующих элементов (кислорода или кремния) с целью их непосредственного контакта и образования SIO2. Активация процесса диффузии окислителя происходит при высоких температурах, этот процесс называется термическим окислением. Экспериментально доказано, что термическое окисление Si происходит за счет диффузии окисляющих частиц через оксид к границе раздела Si-SIO2, а не путем прохождения ионов кремния через оксид.В программном комплексе Microsoft Visual Studio 2015 была смоделирована программа построения графиков зависимостей толщины оксида от времени при температурах 900, 1000 и 1100 С. На рисунках 7 и 8 представлены построенные зависимости толщины слоя SIO2 от времени окисления в сухом кислороде при разных температурах.