Моделирование распределения температуры в структуре TiO2/проводящий оксид/стеклянная подложка от мощности лазерного излучения. Определение основных условий эффективного перехода металлоорганического прекурсора TiO2 в кристаллическую фазу анатаза TiO2.
Аннотация к работе
Разработана численная модель лазерного отжига пленки TIO2 на TCO (прозрачный проводящий оксид, SNO2:F) / стеклянной подложке излучением с длиной волны 1064 нм (Nd:YAG лазер) с целью ее кристаллизации и использования в перовскитовых солнечных элементах.