Идентификация параметров spice-модели диода с помощью программ Parts, PSpice Model Editor, Micro-Cap. Нелинейные и линеаризованные схемы замещения с включением источников внутреннего шума. Уравнения, описывающие статический и динамический режимы.
Аннотация к работе
In = IS · (EV/(N·Vt) - 1) - нормальная составляющая тока;.Инерционные свойства полупроводникового диода определяются электрической емкостью С(V), состоящей из двух параллельно включенных емкостей: барьерной и диффузионной. Барьерная емкость Cj(V) определяется параметрами CJO, M, FC, VJ и зависит от ширины перехода.Схема приведена на рис.3,а. Ее можно дополнить источниками шумовых токов, как изображено на рис.3,б. В диоде имеются следующие источники шума: объемное омическое сопротивление базы RS, характеризующееся тепловым током Inrs со спектральной плотностью Srs = 4KT/RS; дробовой и фликкер-шумы диода, характеризующиеся током Ind со спектральной плотностью Sd = 2g · I KF · (I)AF/f, где f - текущая частота.В математической модели диода они учитываются следующим образом: IS(T) = IS·e ((T/Tnom-1) · EG/(N · Vt(T)) · (T/Tnom)XTI/N;. IKF(T) = IKF·(1 TIKF·(T-Tnom));. RS(T) = RS·[1 TRS1·(T-Tnom) TRS2·(T-Tnom)2];. VJ(T) = VJ·T/Tnom - 3Vt·ln(T/Tnom) - EG(Tnom)·T/Tnom EG(T);. CJO (T) = CJO·{1 M·[0,0004·(T-Tnom) 1-VJ(T)/VJ]};. EG(T) = EGO - AT2/(b Т), где EG(Tnom) - ширина запрещенной зоны при номинальной температуре (1,11 ЭВ для кремния; 0,67 ЭВ для германия; 0,69 ЭВ для диодов с барьером Шотки при температуре 27°С). Параметр Area позволяет в программе PSPICE смоделировать диод, эквивалентный нескольким одинаковым диодам, включенным параллельно, или прибор, имеющий большую площадь p-n-перехода. В случае отсутствия модели необходимого полупроводникового диода (сигнального, выпрямительного или стабилитрона), ее можно создать по экспериментальным или справочным данным с помощью программы Parts.Выполнить идентификацию spice-параметров полупроводникового диода с помощью программы Parts по экспериментальным данным, приведенным в прил.