Дослідження структури моделі МОН-транзистора яка впливає на точність розрахунку параметрів моделі субмікронних розмірів, послідовності її вбудовування в САПР схемотехнічного проектування, перевірка на вірність за допомогою порівняльного моделювання.
Аннотация к работе
Київ - 2004. Робота виконана на кафедрі „Системи автоматизованого проектування” Національного технічного університету України „Київський політехнічний інститут” Міністерства освіти і науки України. Науковий керівник доктор технічних наук, професор Петренко Анатолій Іванович НТУУ „КПІ” Міністерства освіти і науки України, завідувач кафедри САПР. Захист відбудеться 21.06.2004 р. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.002.08 у Національному технічному університеті України “Київський політехнічний інститут” за адресою: 03056, м. Дисертація присвячена створенню ефективних шляхів для вбудовування моделей в програмні комплекси схемотехнічних САПР на прикладі моделі субмікронного рівня BSIM3.Особливістю моделі BSIM3 (математичний опис якої приведений в дисертаційній роботі і містить 15 сторінок), на відміну від більш ранніх моделей, є правило консервації заряду (полягає в збереженні суми зарядів в вузлах транзистора після зміни і повернення до початкового значення потенціалів в цих вузлах). В попередніх моделях МОН-транзисторів спосіб розрахунку струму базувався на ємностях, які, в свою чергу, залежали від напруг. Але таке вбудовування виразів C(V) та I(C) приводило до неточних результатів розрахунку. 1 зображено просту схему, яка є спрощеною моделлю для ілюстрації залежності ємності Cgs від напруг Vgs, Vds та Vbs. При t1 Vgs зростає до 2, Cgs=2.