Элементы ЭСППЗУ, программируемые с помощью туннельного эффекта. Упрощенная модель ячейки памяти. Методика исследования элементной базы ЭСППЗУ. Расчет пороговых напряжений, плавающего затвора и потенциалов канала. Построение и расчет ячейки ЭСППЗУ.
Аннотация к работе
2 ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ 2.1 Элементы СППЗУ 2.1.1 Элементы ЭСППЗУ, программируемые с помощью туннельного эффекта 3 МОДЕЛИРОВАНИЕ ЯЧЕЙКИ ЭСППЗУ 3.1 Упрощенная модель ячейки памяти 3.1.1 Расчет Vtun 3.1.2 Расчет пороговых напряжений 3.1.3 Зависимость порогов от времени записи/стирания 3.2 Полная модель ячейки 3.2.1 Расчет плавающего затвора и потенциалов канала 4 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ 4.1 Запоминающая ячейка 4.1.1 Методика исследования элементной базы ЭСППЗУ 4.2 Результаты исследования элементной базы 4.2.1 Исследование характеристик туннельного окисла 4.2.2 Эквивалентная схема замещения туннельного окисла 4.2.3 Построение и расчет ячейки ЭСППЗУ 5 ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ ПРОЕКТА 5.1 Краткая характеристика проведенной работы 5.2 Методика определения сметной калькуляции и цены на ОКР 5.3 Расчет сметной калькуляции, плановой себестоимости и цены на ОКР 6 ОХРАНА ТРУДА И ЭКОЛОГИЧЕСКАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 1. ВВЕДЕНИЕ Запоминающие устройства имеют очень широкое применение в самых различных