Исследование статических характеристик полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом и определение его параметров. Снятие передаточной характеристики, семейства выходных характеристик. Определение крутизны транзистора, дифференциального сопротивления.
Аннотация к работе
Полевые транзисторы, имеющие структуру металл-диэлектрик-полупроводник, называют МДП-транзисторами. Существует две разновидности МДП-транзисторов: транзисторы с индуцированным каналом, в которых канал образуется под воздействием внешнего напряжения, и транзисторы со встроенным каналом, в которых канал формируется при изготовлении транзисторов. За основу транзистора берется пластина слаболегированного кремния р-типа, в приповерхностном слое которой методами диффузии или ионной имплантации формируют сильнолегированные области n -типа. Если между истоком и стоком включить источник напряжения, то в цепи стока будет протекать незначительный ток обратное смещенного p-n-перехода, образованного п-областью стока и подложкой. После образования под затвором проводящего канала n-типа появится ток стока, значение которого будет зависеть от напряжения на затворе.