Исследование вольт-амперной характеристики транзисторных структур распределенным p -n переходом и активными контактами различных типов - Курсовая работа
Неравновесные электронные процессы в структурах металл-туннельно-прозрачный-окисел-полупроводник. Исследование вольт-амперных характеристик и физических процессов, протекающих в транзисторных структурах с распределенным p-n переходом. Методы их расчета.
Аннотация к работе
1. Литературный обзор 1.1 Неравновесные электронные процессы в структурах МТОП 1.2 Семейства ВАХ структуры с распределенным p -n-переходомактивным МТОП-контактом 1.3 Вольт-амперные характеристики БИСПИН-структуры 2. Экспериментальная часть 2.1 Исследование влияния распределенного p -n-перехода на параметры колебаний в структурах с распределенным p -n- переходом 2.2 Зависимость полного дифференциального сопротивления структур сраспределенным p -n-переходом от напряжения на AK Заключение Список использованных источников Обозначения и сокращения АК активный контакт ПОС положительной обратной связи БИСПИН бисмещенный переход с инжекционной неустойчивостью ВАХ вольт-амперная характеристика ТСРП Транзисторные структуры, имеющие распределенный по всей площади кристалла эмиттерный p -n - переход МТОП металл - туннельно - прозрачный - окисел - полупроводник СРП структура с распределенным p -n-переходом НТ неустойчивость тока ОС отрицательное сопротивление ПС поверхностных состояний ПБНТ поверхностно-барьерный неустой