Закономерности протекания тока в p–n переходе полупроводников. Построение вольтамперных характеристик стабилитрона, определение тока насыщения диода и напряжения пробоя (напряжения стабилизации). Расчет концентрации основных носителей в базе диода.
Аннотация к работе
Цель работы: 1. Закрепить навыки сборки простейших электрических цепей. 2. Закрепить навыки использования электроизмерительных приборов. 3. Закрепить теоретические сведения о методах анализа электрических цепей с полупроводниковыми приборами. 4. Изучить закономерности протекания тока в p - n переходе. 5. Исследовать вольтамперную характеристику диода и стабилитрона. 6. По экспериментальным зависимостям сделать количественную оценку параметров токовых характеристик p - n переходов. Содержание отчета: – название лабораторно-практической работы; – электрические схемы; – заполненные таблицы; – все расчеты к таблицам и дополнительные расчеты; – основные выводы; Правила оформления: Лабораторная работа выполняется на компьютере с применением виртуальной лаборатории Electronics WorkBench (EWB). Отчет должен быть представлен печатной работой на листах формата А4, таблицы заполняются шариковой ручкой от руки. Расчет может выполняться от руки или на компьютере. Использовать MS WORD и MS Excel. Требуемое оборудование: П