Технологический маршрут создания спая сапфир-стекловидный диэлектрик методом центрифугирования. Формирование сравнительно равномерной пленки толщиной до десятков микрометров. Исследование морфологии поверхности методом атомной силовой микроскопии.
Аннотация к работе
Исследование процессов получения спая сапфир-стекловидный диэлектрик Ю.В. Клунникова Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения Таганрог Аннотация В статье предложен технологический маршрут создания спая сапфир-стекловидный диэлектрик PbO - B2O3 - ZnO. Для получения спая сапфир - стекловидный диэлектрик использовался метод центрифугирования, позволяющий формировать сравнительно равномерные пленки толщиной от единиц до десятков мкм. Зона значения температурного коэффициента линейного расширения (ТКЛР) легкоплавких стекол лежит в пределах (55...95)?10-7 К-1, что позволяет спаивать широкий спектр материалов, имеющих ТКЛР близкий к этому значению (сапфир, стекло, керамика, ферриты).