Современное состояние элементной базы полупроводниковых оптических преобразователей. Воздействие электромагнитного излучения видимого и инфракрасного диапазонов на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs n-типа.
Аннотация к работе
1. Исследования неустойчивостей тока в полупроводниках 2. Современное состояние элементной базы полупроводниковых оптических преобразователей 2.1 Элементная база 2.2 Сферы применения 3. Экспериментальное исследование оптических характеристик преобразователя свет-частота с металлическими контактами различной формы 3.1 Конструкция однокристального преобразователя свет-частота и методика проведения экспериментального исследования 3.2 Результаты экспериментального исследования оптических характеристик преобразователя свет-частота 3.3 Анализ и интерпретация результатов экспериментального исследования 4. Функциональные свойства Аналоги Выводы Введение Развитие цифровой электроники на сегодняшний день тесно связанно с возможностями интегральной микроэлектроники. Одним из наиболее перспективных направлений современной микроэлектроники является функциональная микроэлектроника, основанная на использовании динамических неоднородностей, обеспечивающих несхемотехнические принципы работы устройств. В функциональной микроэ