Кремний как материал современной электроники. Способы получения пористых полупроводников на примере кремния. Анализ процесса формирования, методов исследования, линейных и нелинейных процессов в неоднородных средах на основе пористых полупроводников.
Аннотация к работе
1. Структурные модификации кремния 1.1 Кремний как материал современной электроники 1.2 Монокристаллический кремний 2. Пористый кремний 2.1 Формирование слоёв пористого кремния 2.2 Свойства и применение пористого кремния 3. Пористый фосфид галлия 4. Фотонно-кристаллические структуры на основе пористых полупроводников 5. Упорядоченные оптически неоднородные среды на основе пористых полупроводников 5.1 Одномерные фотонно-кристаллические структуры на основе пористого кремния 5.1.1 Спектры отражения 5.1.2 Дисперсионные свойства 5.2 Одномерные фотонно-кристаллические структуры на основе окисленного пористого кремния 6. Модификация нелинейной восприимчивости в пористых проводниках 7. Нелинейно-оптические процессы в оптически неоднородных средах на основе пористых полупроводников 7.1 Генерация второй гармоники в структурах на основе микропористого кремния 7.2 Генерация третьей гармоники в структурах на основе мезопористого кремния Заключение Список использованных источников Введение Возрастающие потребности в перед