Физические процессы, лежащие в основе электронной оже-спектроскопии (ЭОС). Механизмы ЭОС, область ее применения. Относительная вероятность проявления оже-эффекта. Глубина выхода оже-электронов. Анализ тонких пленок, преимущества ионного распыления.
Аннотация к работе
Физические основы Оже-процесс Вероятность оже-эффекта Глубина выхода оже-электронов Анализ тонких пленок Заключение Список литературы Введение Когда какой-то атом ионизируется с образованием дырки с остовном уровне либо падающими фотонами, либо падающими электронами, обладающими достаточной энергией, ион в конечном счете теряет часть своей потенциальной энергии при заполнении этой дырки электронами с более мелких уровней, сопровождающемся передачей энергии. Альтернативная безызлучательная передача энергии в виде кинетической энергии эмитируемого электрона составляет основу оже-процесса, названного так в честь его первооткрывателя Пьера Оже. Первоначально ЭОС использовалась только для научных исследований, но сейчас она превратилась в стандартный метод лабораторного анализа.