Принципиальная схема предварительного каскада с источником сигнала и последующим каскадом. Выбор типа транзистора, исходя из заданного режима его работы и частоты верхнего среза усилителя. Расчет параметров малосигнальной модели биполярного транзистора.
Аннотация к работе
Объемное сопротивление области базы RБ можно определить из постоянного времени ?К коллекторного перехода: (1.3) Рассчитаем элементы эммитерной стабилизации тока покоя транзистора: Зададимся падением напряжением на сопротивлении RЭ в цепи эмиттера транзистора равным При этом необходимо учитывать, что меньшее значение изменения этого тока приводит к увеличению тока, потребляемого резистивным делителем в цепи базы, к снижению входного сопротивления и ухудшению КПД каскада. Исходя из требуемой стабилизации тока покоя каскада, определяют эквивалентное сопротивление в цепи базы транзистора: (1.21) Эквивалентная входная емкость каскада включает емкость перехода база - эмиттер и пересчитанную на вход емкость перехода база - коллектор Ск : (1.
Список литературы
. Войшвилло. Г. В. Усилительные устройства / Г. В. Войшвилло. - М. : Радио и связь, 1983.
. Титце, У. Полупроводниковая схемотехника. / У. Титце, К. Шенк. - М. : Мир, 1982.
. Галкин, В. И. Полупроводниковые приборы : справочник / В. И. Галкин, А. Л. Булычев, В. А. Прохоров. - 2-е изд. - Минск : Беларусь, 1987.