Общая характеристика и сравнительное описание различных типов фотодиодов, их назначение и внутренняя структура, принцип работы и отличительные особенности оптоэлектронике. Физические свойства данных устройств, преимущества и недостатки их применения.
Аннотация к работе
Фотодиоды: действие и назначениеФотодиоды представляют собой р-п переход, работа которого описывается соотношением где - плотность фототоков и обратного тока p-n перехода соответственно, обусловленная неосновными носителями тока в полупроводнике; Режим работы фотодиода зависит от смещения и нагрузки. В первом случае различают вольтаический (фотовентильный) при нулевом и фотодиодный при обратном смещениях режимы работы. В структурах на основе GAAS и его трехкомпонентных сплавах p - область делается тоньше и легируется сильнее, чем n-область, так что устройство формируется в основном в материале n типа, а p - слой является фактически контактным слоем. P-i-n структура обычна создается на пластине высокоомного кремния (? = 2…10 КОМ*см) эпитаксиальным выращиванием низкоомного n слоя (?= 0,002 Ом*см) толщиной 40…50 мкм и в результате формируется i - область.