Синтез і оптимізація технології нелегованих і легованих силенітів високої оптичної якості, дослідження кристалофізичних аспектів їхнього легування та стехіометрії. Кореляційні зв’язки між стаціонарними властивостями та глибокими центрами у силенітах.
Аннотация к работе
ДНІПРОПЕТРОВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ АВТОРЕФЕРАТ дисертації на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наукРобота виконана в Дніпропетровському національному університеті, Міністерство освіти і науки Украіни. Доктор фізико-математичних наук, професор КУДЗІН Аркадій Юрієвич Офіційні опоненти: Доктор фізико-математичних наук, професор ВЛОХ Орест Григорович, Інститут фізичної оптики, м. Доктор фізико-математичних наук, професор ЧЕРНЕНКО Іван Михайлович, Дніпропетровський національний університет, м. Захист відбудеться “2 ”березня 2001р. о 13 год.30 хв.годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 08.051.02 при Дніпропетровському національному університеті (49050, м.Ця унікальна інтеграція забезпечує успішне використання ВМО як функціонально активного середовища пристроів опто-і акустоелектроніки, магнітооптики, динамичної голографії, інтегральної оптики, а також зумовлює інтерес до вивчення цих матеріалів. Насамкінець, вивчення ГЦ сприяє розвязанню завдань модифікації властивостей силенітів шляхом легування. Інтерес до силенітів виник у 70-тих роках, коли було показано можливість їхнього використання для просторово-часової модуляції світла Відтоді постійно поширюється сфера застосування цих матеріалів у функціональній електроніці та динамічній голографії, а також зростає обсяг досліджень. Таким чином, науковий інтерес до фундаментальної проблеми ГЦ у складних оксидних кристалах, активізація уваги до явищ, що індукуються дією зовнішніх чинників і повязані з ГЦ, необхідність вивчення домішково-дефектних складів з метою прогнозування бажаних властивостей силенітів та забезпечення елементною базою функціональної електроніки визначають актуальність проблеми “Фото-і термоіндуковані явища у легованих силенітах”. Робота звязана з державними програмами з фундаментальних досліджень у галузі фізики напівпровідників і діелектриків, оптики, лазерної фізики, увійшла в координаційний план “Явища і процеси фізичної оптики та лазерної фізики”, здійснювалась у пріоритетних напрямках розвитку науки і техніки: “Фізика кристалів активних діелектриків”, “Нові речовини та матеріали”, де вирішуються завдання синтезу і вивчення нових кристалів, які мають сегнетоелектричні, акустооптичні та електрооптичні властивості, використання матеріалів фінкціонального призначення, розширення їхніх експлуатаційних можливостей; її було включено до виконання наведених нижче тем з відповідними номерами державної реєстрації (скорочення: вик., відп. вик., наук. кер. означають: виконавець, відповідальний виконавець, науковий керівник відповідно).З іонами Al, Ga, Sn повязано збільшення міри компенсації донорів і поява центрів швидкої рекомбінації: поглинання і фотовідгук падають в усьому спектрі в усій дослідженій області температур. Рекомбінація визначає температурні залежності фотовідгуку у В-діапазоні спектру у нелегованому ВМО та кристалах з Cr, Mn, Cu, V, Ag. Виявлено кореляцію між надміром (дефіцитом) іонів BISI3 та BISI5 , що заміщують Si4 у кисневих тетраедрах BSO, зі зростанням (падінням) поглинання, а також фотовідгуку у В-діапазоні спектру. У кристалах BSO фотолюмінесценція спостерігається у діапазоні n = (1.3?1.9)?104 см-1, збуджується (в околі ~ 4 K) у смугах поглинання з nmax = 27600, 30800 cm-1 і повязана із переходами в іонах Bi3 (6s2): 1P1 ®1S0, 3P2 ® 1S0 та 3P1 ® 1S0 зі збудженіх термів на основний. Таким чином, виявлено провідну роль іонів BISI3 ,5 у ФХЕ кристалів BSO; із використання теорії кристалічного поля визначено зарядовий стан та локалізацію іонів перехідних металів; виявлено парамагнітні центри у кристалах BSO:Al; показано, що природа ІДФ і ФХЕ є різною: ІДФ визначається переходами зі хвостів станів у зону провідності, ФХЕ - внутришньоцентровими переходами.