Розробка оптимізованої технології і дослідження термостійких бар"єрних, омічних контактів для НВЧ приладів. Фазові, морфологічні перетворення при напиленні Ti на реальну поверхню GaAs, що визначають електрофізичні властивості контактів, їх термостійкість.
Аннотация к работе
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИРобота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім.В. Є. Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук Міленін Віктор Володимирович, Інститут фізики напівпровідників НАН України, Провідний науковий співробітник мат. наук, професор Литовченко Петро Григорович, Інститут ядерних досліджень НАН України, головний науковий співробітник доктор фіз. мат. наук, професор Чайка Василь Євгенович, Міністерство освіти і науки України, м. З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституті фізики напівпровідників НАН України (03028, Київ - 28, проспект Науки, 45).Ці питання значною мірою повязані з технологією виготовлення приладу і металізації, яка використовується; для досліджуваних у роботі польових транзисторів вони ще знаходяться в стадії вирішення, хоча до даного часу і досягнуті значні успіхи у вивченні фізико-хімічних процесів, що протікають у контактах метал-арсенід галію та визначають їх електрофізичні параметри. Проте, детальні механізми взаємодії між металами і напівпровідником, вид і кількість продуктів реакцій ще не вивчені для жодної з контактних систем такою мірою, щоб можна було цілеспрямовано керувати цими процесами і підбирати контактуючі пари для забезпечення в одних випадках стабільності вольтамперної характеристики і збереження барєрних властивостей, а в інших - низьких питомих контактних опорів при впливі різних фізичних факторів, в тому числі і високих температур. Технологічні методи виготовлення контактів, що забезпечують необхідні параметри міжфазних кордонів в "традиційних" арсенідгалієвих приладах мікроелектроніки, повинні бути скоректовані при виготовленні контактів приладів, що використовують тонкі епітаксійні шари сполук AIIIBV, - польових транзисторів з високою рухливістю електронів (high electron mobility transistor - НЕМТ). У роботі використані такі методи дослідження: метод вольтамперних характеристик (ВАХ), що дозволяє отримати основні статичні параметри ПТШ і тестових структур; метод вольт-фарадних характеристик (ВФХ), що дозволяє отримати параметри барєрних контактів; виміри контактного опору при температурах 77 К та 300 К, що застосовуються при дослідженні гетероструктур; метод електронної Оже-спектроскопії в сполученні з пошаровим аналізом для визначення елементного складу і міжфазних взаємодій у контактуючих шарах метал-напівпровідник; методи атомно-силової і електронної мікроскопії для аналізу морфології поверхонь і їх структурних змін, викликаних технологічними впливами. Дослідження ВАХ на контактах з різною площею показало, що сформовані в цих умовах контакти мають ділянки неоднорідностей, внесок яких у струмоперенос збільшується з ростом площі контакту.Показано, що ріст плівки титану на реальній поверхні арсеніду галію проходить у два етапи: на першому утворюється тонка (~ 25 A) плівка монооксида титану, а на другому - ріст полікристалічної плівки титану, характерною рисою якої є наявність пор.