Поняття і архітектура флеш-пам"яті як засобу збереження інформації, визначення переваг її використання. Відмінності основних способів програмування інформації в комірках - методів квантового тунелювання Фаулера-Нордхейма і інжекції "гарячих" електронів.
Аннотация к работе
На відміну від багатьох інших типів напівпровідникової памяті, комірка флеш - памяті не містить конденсаторів - типова комірка флеш - памяті складається усього-на-всього з одного транзистора особливої архітектури. Комірка флеш - памяті чудово змінює масштаб, що досягається не лише завдяки успіхам в мініатюризації розмірів транзисторів, але і завдяки конструктивним знахідкам, що дозволяють в одної комірці флеш - памяті зберігати декілька біт інформації. Флеш - память історично походить від ROM (Read Only Memory) памяті, і функціонує подібно RAM (Random Access Memory). Основна перевага флеш - памяті перед жорсткими дисками і носіями CD-ROM полягає у тому, що флеш - память споживає значно (приблизно у 10-20 і більше разів) менше енергії під час роботи. Флеш - память історично відбулася від напівпровідникового ROM, проте ROM-памяттю не є, а всього лише має схожу на ROM організацію.