Фазові рівноваги та склоутворення в квазіпотрійних системах BIIX–Ga2X3–DIVX2 - Автореферат

ЛЬВІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ АВТОРЕФЕРАТ дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата хімічних наукРоботу виконано на кафедрі загальної та неорганічної хімії Волинського державного університету ім. Науковий керівник: кандидат хімічних наук, доцент Парасюк Олег Васильович, Волинський державний університет, старший науковий співробітник Офіційні опоненти: доктор хімічних наук, доцент Барчій Ігор Євгенович, Ужгородський національний університет, професор кафедри неорганічної хімії кандидат хімічних наук Галаджун Ярослав Володимирович, Львівський національний університет, доцент кафедри безпеки життєдіяльності Захист дисертації відбудеться ?15? листопада 2006 р. о 16 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 35.051.10 у Львівському національному університеті ім.В ролі розчинника можуть бути використані сплави квазіпотрійних систем BIIX - CIII2X3 - DIVX2 (BII - Zn, Cd, Hg; CIII - Ga, In; DIV - Ge, Sn; X - S, Se). Встановлення областей склоутворення у системах, які утворені чотирма елементами, є перспективним напрямком дослідження, оскільки дозволить розширити клас халькогенідних склоподібних напівпровідників новими представниками. Таким чином, накопичення експериментальних даних з характеру фізико-хімічної взаємодії та величин областей склоутворення в системах BIIX - Ga2X3 - DIVX2 дозволить виявити нові напівпровідникові речовини, закономірності та особливості у зміні їх властивостей. Лесі Українки, і виконана відповідно до планів держбюджетних тем “Фізико-хімічні основи матеріалознавства метастабільних фаз, ефективних і радіаційностійких оптоелектронних, нелінійних та інших напівпровідникових матеріалів на основі багатокомпонентних систем” (1998-1999, № державної реєстрації 0198U038208), особистий внесок - склоутворення у системах Zn(Cd,Hg)Se - Ga2Se3 - Ge(Sn)Se2; “Гетерогенні рівноваги складних халькогенідних систем; синтез, технологія монокристалів, стекол, композитів і їх властивості” (2000-2002, № державної реєстрації 0100U000241), особистий внесок - фазові рівноваги у квазіпотрійній системі ZNSE - Ga2Se3 - GESE2, область склоутворення та ізотермічний переріз при 670 К квазіпотрійної системи HGS - Ga2S3 - GES2; “Нові тетрарні халькогенідні речовини: синтез, фазові рівноваги, технологія монокристалів, властивості та застосування” (2003-2005, № державної реєстрації 0103U000274), особистий внесок - фазові рівноваги у квазіпотрійних системах ZNSE - Ga2Se3 - SNSE2 та HGS - Ga2S3 - GES2. Вперше вивчено характер фізико-хімічної взаємодії у квазіпотрійних системах BIIX - Ga2X3 - DIVX2 (BII - Zn, Cd, Hg; DIV - Ge, Sn; X - S, Se), побудовані політермічні та ізотермічні перерізи, проекції поверхонь ліквідуса, просторові діаграми стану.Переріз HGGA2S4 - “HGGE2S5” перетинає поля первинної кристалізації фаз HGGA6S10, HGGA2S4 та GES2. Солідус перерізу складається з горизонтальних ліній, що відповідають процесам: LUHG4GES6 HGGA2S4 GES2 (Е, 829 К), L HGGA6S10UHGGA2S4 GES2 (Р4, 940 К), L DUB GES2 (Р3, 953 К), а також лінії завершення вторинної кристалізації L d GES2 та лінії, що відповідає граничним d-твердим розчинам. Переріз ZNGA2Se4 - GESE2 перетинає два поля первинної кристалізації фаз, що відповідають GESE2 і а-твердим розчинам на основі ZNSE. Переріз ‘Ga6GESE11’ - ‘Zn3GESE5’ проходить через три поля первинної кристалізації фаз, що належать b-твердому розчину на основі Ga2Se3, g-твердому розчину на основі ZNGA2Se4 i а-твердому розчину на основі ZNSE. Солідус перерізу складається з ліній завершення вторинної кристалізації бінарних евтектик, які обумовлені присутністю твердих розчинів в системі та двома горизонталями нонваріантних процесів при 924 K (LUB g GESE2) i 966 K (L AUG GESE2).Вперше вивчені фазові рівноваги в квазіпотрійних системах HGS - Ga2S3 - GES2, ZNSE - Ga2Se3 - GESE2 i ZNSE - Ga2Se3 - SNSE2, для яких встановлено характер і температури протікання моно-та нонваріантних процесів, побудовані ізотермічні перерізи при 670 К, проекції поверхонь ліквідуса та просторові діаграми стану. Характерним для систем даного типу є відсутність тетрарних проміжкових фаз, що узгоджується із теоретичними передумовами пошуку нових алмазоподібних напівпровідників розроблених Горюновою. В системі HGS - GES2 підтверджено наявність сполуки Hg4GES6 і заперечено існування фази HGGE2S5. В системі ZNSE - SNSE2 уточнено лінію первинної кристалізації ZNSE та підтверджено евтектичний тип квазібінарної системи. Встановлено величини областей склоутворення в квазіпотрійних системах HGS - Ga2S3 - GES2, ZNSE - Ga2Se3 - Ge(Sn)Se2, CDSE - Ga2Se3 - SNSE2 та уточнено в системі HGSE - Ga2Se3 - SNSE2.постановка задачі дослідження. синтез склоподібних зразків, дослідження їх методами диференційно-термічного та мікроструктурного аналізів. постановка задачі дослідження. синтез склоподібних зразків, дослідження їх методами диференційно-термічного та мікроструктурного аналізів. синтез зразків, дослідження їх методами рентгенофазового та мікроструктурного аналізів.

ОСНОВНИЙ ЗМІСТ ДИСЕРТАЦІЇОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ ВИКЛАДЕНО У ПУБЛІКАЦІЯХ