Фазові рівноваги і властивості фаз у квазіпотрійних системах, утворених халькогенідами елементів 3d - ТА Ib, IIb, IIIa, IVa,b підгруп - Автореферат

АВТОРЕФЕРАТ дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата хімічних наукНауковий керівник: доктор хімічних наук, професор Олексеюк Іван Дмитрович, завідувач кафедри загальної та неорганічної хімії Волинського національного університету імені Лесі Українки Офіційні опоненти: доктор хімічних наук, професор Поторій Марія Василівна Ужгородський національний університет, професор кафедри неорганічної хімії кандидат хімічних наук, старший науковий співробітник Ромака Любов Петрівна Львівський національний університет імені Івана Франка, провідний науковий співробітник кафедри неорганічної хімії Захист відбудеться “12 ”березня 2008 р. о 1400 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 35.051.10 з хімічних наук у Львівському національному університеті імені Івана Франка за адресою: 79005, м. З дисертацією можна ознайомитися у науковій бібліотеці Львівського національного університету імені Івана Франка (м.Чільне місце серед матеріалів, що використовуються в нелінійній оптиці, електронній та ІЧ-оптоелектронній техніці займають халькогеніди типу AI2X, BIIX, CIII2X3, DIVX2, а також їх аналоги, які можуть утворюватися в системах AI-BII-CIII-X, AI-BII-DIV-X, AI-CIII-DIV-X. Вона виконувалася відповідно до планів держбюджетних тем: “Нові тетрарні халькогенідні речовини: синтез, фазові рівноваги, технологія монокристалів, властивості та застосування” (2003-2005, № державної реєстрації 0103U000274) - здобувач виконував дослідження фазових рівноваг на перерізах AICIIIX2-DIVX2, вирощування легованих Mn монокристалів AGGAGE3Se8, AGCD2GAS4, дослідження фізичних властивостей сплавів системи AGCD2-XMNXGAS4; “Синтез, вирощування монокристалів, кристалічна структура та властивості нових ефективних складних халькогенідних матеріалів для електронної і оптоелекронної техніки та нелінійної оптики” (2006-2008, № державної реєстрації 0106U000272) - здобувач виконував дослідження ізотермічних перетинів систем AI2X-MNX-DIVX2, AI2X-CIII2X3-DIVX2, AICIIIX2-MNX. Вперше побудовано ізотермічні перерізи діаграм стану квазіпотрійних систем Ag2X-MNX-DIVX2 (6 систем, 298 K), Ag2S-In2S3-DIVS2 (3 системи, 298 K), а також перерізів: АІСІІІХ2-MNX (8 систем, 870 К), CUGAS2-DIVX2 (3 системи, 670 К), AGCD2-XMNXGAX4 (2 системи, 870 K); Cu2Cd2-XMNXSNSE4 (670 K). Дослідження електричних, термо-та фотоелектричних властивостей зразків системи AGCD2-XMNXGAS4 проведено дисертантом спільно з н.с. Для синтезу сполук і сплавів досліджуваних систем використовували прості речовини: мідь - 99,99 ваг.%; срібло - 99,99 ваг.%; хром - 99,99 ваг.%; марганець - 99,95 ваг.%; кобальт - 99,99 ваг.%; залізо - 99,99 ваг.%; нікель - 99,999 ваг.%; кадмій - 99,9999 ваг.%; галій - 99,99 та 99,9997 ваг.%; індій - 99,99 ваг.%; кремній - 99,99 ваг.%; германій - 99,9999 ваг.%; олово - 99,99 ваг.%; титан - 99,99 ваг.%; цирконій - 99,99 ваг.%; сірка - 99,997 ваг.%; селен - 99,997 ваг.%; телур - 99,99 ваг.%.Для 8 складів твердих розчинів на основі AICIIIX2 і 8 складів проміжних фаз систем AICIIITE2-MNTE уточнено кристалічну структуру. Вперше побудовано ізотермічні перерізи 6 систем Ag2X-MNX-Si(Ge, Sn)X2 (X-S, Se) при 298 K. Вперше побудовано ізотермічні перерізи діаграм стану квазіпотрійних систем Ag2S-In2S3-Si(Ge, Sn)S2 при 298 K, діаграми стану 11 систем AICIIIX2-DIVX2, з яких 5 частково квазібінарні, досліджені три системи CUGAS2-DIVS2 при 670 К. Вперше виявлено 19 нових тетрарних халькогенідів з участю Ti (Zr) і 3d-елементів, з них 12-кристалізуються у структурі шпінелі та 5 сульфідів у структурі типу CDI2, сполуки Cu2MNZRS4, Cu2MNZRSE4 кристалізуються у новому структурному типі (ПГ P3m1, CT Cu2MNZRS4), який похідний від структури CDI2. Досліджено три системи з ізовалентним заміщенням CD?MN: AGCD2-XMNXGAS4 (870 K), AGCD2-XMNXGASE4 (870 K), Cu2Cd1-XMNXSNSE4 (670 K), області гомогенності тетрарних фаз сягають AGCD0,76Mn1,24GAS4, AGCD0,72Mn1,28GAS4.