Неоднорідність розподілу домішок Te та In в монокристалах антимоніду кадмію і їх вплив на електрофізичні ефекти. Вплив освітлення на кінетичні параметри монокристалів. Характер впливу гамма опромінення на явища переносу в монокристалах CdSb, легованих In.
Аннотация к работе
Волинський національний університет імені Лесі Українки АВТОРЕФЕРАТ дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наукНауковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор Федосов Анатолій Васильович ,Луцький національний технічний університет, проректор з науково - педагогічної роботи Лашкарьова НАН України, головний науковий співробітник доктор фізико-математичних наук, професор Раренко Іларій Михайлович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, професор кафедри фізики напівпровідників і наноструктур Захист відбудеться „10 ”червня 2010 року о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 32.051.01 при Волинському національному університеті імені Лесі Українки Міністерства освіти і науки України за адресою: 43025, м. З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Волинського національного університету імені Лесі Українки за адресою: 43025, м.Монокристали антимоніду кадмію, що використовуються у мікроелектроніці та приладобудуванні, суттєво змінюють свої фізичні характеристики під дією різних фізико - активних впливів, таких як механічні навантаження, швидкозмінні температурні режими, радіація, світло та інші. Сучасні кристали антимоніду кадмію, в яких донорні або акцепторні домішки з мілкими рівнями компенсовані домішками чи радіаційними дефектами з глибокими локальними рівнями, широко застосовуються як в оптико - термоелектричних елементах ІЧ - техніки, анізотропних термоелектричних елементах індикації променевих потоків, так і в активних фотоелектричних пристроях, термоелектричних сенсорних елементах. В напівпровідниках з глибокими енергетичними рівнями (до яких можна віднести і леговані телуром монокристали антимоніду кадмію) в області низьких температур спостерігається ефект перемикання зразка із високоомного стану у низькоомний. Дослідження проявів глибоких рівнів в таких напівпровідниках дає можливість отримати інформацію, що може допомогти в ідентифікації дефекту, який зумовлює енергетичний рівень, додатково вивчити механізм взаємодії носіїв струму з коливаннями кристалічної гратки, дослідити можливості використання матеріалу для створення елементів памяті або перемикачів з високопровідного у низькопровідний стани і навпаки. Базовими для підготовки й подання дисертаційної роботи були науково - дослідні роботи на теми: 1) „Дослідження впливу технологічних особливостей на фізико - механічні властивості полімерних плівок та напівпровідникових матеріалів”, № державної реєстрації 0103U000277; 2) „Вплив дисипації енергії на фізичні властивості багатодолинних напівпровідникових і композиційних матеріалів”, № державної реєстрації 0107U000229; 3) „Морфометричні методи і моделі контролю якості напівпровідникових та композитних матеріалів”, № державної реєстрації 0110U002221.У вступі обґрунтована актуальність дисертаційної роботи, визначена мета і основні завдання роботи, її наукова новизна та практичне значення отриманих результатів, представлені відомості про апробацію роботи, особистий внесок дисертанта, публікації, структуру та обсяг дисертації.На одержаних залежностях Dr ¤rc =¦(C) для досліджуваних кристалів виявлено значно більші відносні відхилення питомого опору від середнього значення rc у зразках, вирізаних вздовж осі росту кристала, ніж у зразках, вирізаних перпендикулярно до даної осі. При цьому знімалися ВАХ при температурі 77 К для зразків, вирізаних паралельно (I група) і перпендикулярно до осі росту кристала (II група), при різних інтенсивностях освітлення. Порогові значення напруженості електричного поля у зразках, вирізаних паралельно до осі росту кристала, приймають набагато більші значення, ніж у зразках, вирізаних перпендикулярно до даної осі. Необхідно також зауважити, що зростання інтенсивності освітлення призводить до поступового наближення порогових значень напруженості поля в зразках першої групи до значень напруженості для зразків другої групи, що може бути повязано зі зміною (при освітленні) амплітуди (?) потенціального рельєфу, утвореного шаруватими періодичними неоднорідностями в напрямі росту кристала. Відповідно, при проведенні експериментальних досліджень ефекту Холла, на основі яких розраховано значення рухливості для зразків CDSB(Те), вирізаних паралельно і перпендикулярно до осі росту кристала, при різних інтенсивностях освітлення, нами виявлено різке зростання рухливості носіїв заряду при збільшенні інтенсивності освітлення у зразках саме I групи.