Роль часткових дислокацій, що рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення змін фізичних властивостей кристалів сульфіду та селеніду цинку, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
Аннотация к работе
ДНІПРОПЕТРОВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наукВсебічне вивчення взаємодії дислокацій з електронною підсистемою кристалічних тіл показало, що серед безлічі різних напівпровідникових матеріалів це явище найбільш сильно проявляється в кристалах сполук типу А2В6, та є визначальним у формуванні їх електричних і оптичних властивостей. Однак, після запропонованої нами методики, заснованої на використанні методу ЕПР зявилася реальна можливість для вивчення процесів взаємодії електронної підсистеми кристалів з нерухомими дислокаціями. Все сказане вище визначає актуальність проблем, які вирішуються в дисертації - встановлення можливості й закономірностей взаємодії електронної підсистеми з нерухомими дислокаціями у кристалах типу А2В6, а також зясування ролі часткових дислокацій, що рухаються, при формуванні кристалічної структури сульфіду цинку в процесі фазового переходу 2Н>3С. Метою даного дослідження є виявлення ролі часткових дислокацій, що рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку, а також вивчення змін фізичних властивостей кристалів, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій. Обєктом дослідження є кристали сульфіду та селеніду цинку з дефектами структури, а предметом досліджень є дислокації та інші дефекти, які визначають структуру та властивості досліджуваних обєктів, а також ефекти, повязані з електричною активністю нерухомих дислокаціях.Однак було встановлено, що цей фазовий перехід ніколи не відбувається до кінця, в результаті чого вирощені з розплаву кристали сульфіду цинку, залежно від виду й кількості легуючих домішок, можуть мати або структуру мікродвійників сфалериту, або однієї з політипних модифікацій. Було встановлено, що в процесі пластичної деформації кристалів, в результаті руху часткових дислокацій через кожний другий щільноупакований шар, відбувається переорієнтація кристалічної решітки мікродвійників і політипів ZNS у структуру одноорієнтованого сфалериту. Крім того, наявність “полярних” дислокацій і можливість обміну електронами між дислокацією, точковими центрами й дозволеними зонами, не допускає застосування моделі дислокаційних зарядів, пропонованої для чисто іонних кристалів. Той факт, що в міру зниження швидкості руху дислокацій, величина дислокаційного заряду, як і передбачається теорією, зменшується, й при швидкості деформування 0.01 мкм/хв уже не реєструється, може бути пояснений непридатністю традиційної методики виміру дислокаційних струмів для реєстрації заряду дислокацій, оточених екрануючими хмарами іонізованих дефектів. Надалі факт впливу збудженої електронної підсистеми на умови руху дислокацій підтвердився виявленням зміцнення кристалів при впливі на них рентгенівського випромінювання, а також при протіканні через зразки електричного струму в режимі подвійної інжекції.