Величина екранування поля спонтанної поляризації, що призводить до збільшення ролі флуктуацій параметру. Температурний гістерезис діелектричної проникності кристалів Li2Ge7O15 при температурі фазового переходу. Частотна дисперсія дебаєвського типу.
Аннотация к работе
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор Кудзін Аркадій Юрійович Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Дніпропетровського державного університету кандидат фізико-математичних наук Захист відбудеться “19” березня 1999 р. о 1500 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 08.051.02 при Дніпропетровському держуніверситеті за адресою: 320625, м.Інтерес до нього дуже великий, що обумовлено важливістю фізичних проблем в області сегнетоелектрики та зростанням практичного застосування сегнетоелектриків. Сегнетоелектрики відрізняються більшою діелектричною проникністю, високим пєзомодулем, наявністю петлі діелектричного гістерезису, наявністю фазового переходу та рядом цікавих електричних властивостей. Більшість перелічених фізичних властивостей сегнетоелектриків мають екстремальну поведінку поблизу фазового переходу. Фазові переходи у сегнетоелектриках вивчаються протягом десятків років, бо саме фазовий перехід є найбільш важливою особливістю сегнетоелектриків. мався досвід по дослідженню діелектричних аномалій у власних сегнетоелектриках, а також по використанню методу електронного парамагнітного резонансу для вивчення особливостей фазового переходу в сегнетоелектричних кристалах.