Побудування діаграми стану розрізів досліджуваних систем. Встановлення фізичних основ синтезу кристалічних сполук та стекол. Дослідження електропровідності гомогенних кристалічних та склоподібних сплавів, визначення внеску іонної та електронної складових.
Аннотация к работе
Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України АВТОРЕФЕРАТ дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наукРобота виконана на кафедрі фізики металів Львівського національного університету імені Івана Франка Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України. Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук, професор Миколайчук Олексій Гордійович, Львівський національний університет імені Івана Франка, професор кафедри фізики металів. Захист відбудеться “24” травня 2011 р. о 1530 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 35.051.09 при Львівському національному університеті імені Івана Франка за адресою: 79005, м. З дисертацією можна ознайомитися в Науковій бібліотеці Львівського національного університету імені Івана Франка (м.Твердотільні матеріали з іонною електропровідністю s > 0.1 Ом-1•м-1 та енергією активації носіїв заряду DE <0.4 ЕВ називають суперіонними провідниками (СІП) або твердими електролітами (ТЕЛ). Інформацію про існування нових сполук (зокрема суперіонних), ділянок склоутворень отримують дослідженням р-Т-х-простору систем методами фізико-хімічного аналізу (ФХА). Використання методів ФХА дає змогу встановити температурні та концентраційні ділянки існування кристалічних фаз, вибрати для подальших досліджень оптимальні склади, режими та методи синтезу сплавів. Крім того, покращити транспортні властивості вже відомих СІП можна шляхом утворення твердих розчинів на їхній основі та фіксації високопровідної модифікації фази за кімнатної температури. Основними результатами, які визначають наукову новизну дисертаційної роботи та котрі винесено на захист, є: Визначено температурні та концентраційні ділянки існування нових тетрарних кристалічних сполук та стекол.Вимірювання електропровідності склоподібних та кристалічних сплавів систем Ag-Ge(Sn)-S-Br(I) виконано на постійному струмі зондовим методом в інертній атмосфері аргону з використанням електрохімічних комірок (ЕХК) таких конструкцій: Ag|сплав|Ag (I), Ag|сплав|Ag3SBR|Ag (II) та Ag|сплав|Ag3SI|Ag (III) із зондами Ag|(Ag Ag3SBR)|сплав, де (Ag Ag3SBR) означає добре перетерту механічну суміш срібла та сульфоброміду срібла. У третьому розділі описано механізми формування та концентраційні ділянки існування нових кристалічних сполук та стекол в частині Ag2S-GES2-AGBR системи Ag-Ge-S-Br (рис. Для кожного сплаву отримано пять кривих електропровідності: три з них від сплаву в ЕХК (І-ІІІ), та дві (на виносках) - від комірок (ІІ, ІІІ) після видалення з них шарів Ag3SBR та Ag3SI з наступним впресуванням струмових (Ag) електродів. Для більшості стекол розрізу Ag2GES3-AGBR, за конкретної температури, питома електропровідність сплавів у комірках (ІІ, ІІІ) перевищує s сплавів у (І). Концентраційні та температурні зміни параметрів електропровідності стекол розрізів Е2-AGBR та Е3-AGBR у комірках різних конструкцій, як і у випадку стекол розрізу Ag2GES3-AGBR, добре моделюються властивістю галогенів у сплавах як рухливої квазірідини, активним входженням “формульного” срібла в матричну структуру стекол, естафетним механізмом дрейфового переміщення іонів Ag та Br-.