Дослідження енергетичних спектрів носіїв заряду в об"ємних кристалах твердих розчинів Cd1-xMnxTe, кристалів із поверхнею телуриду кадмію та товщини надграток. Парціальні вклади марганцю в густину станів валентної зони та зони провідності цих структур.
Аннотация к работе
Напівмагнітні напівпровідники, в першу чергу тверді розчини на основі сполук , до складу яких входять атоми із незаповненою 3d оболонкою, стали важливими обєктами дослідження, оскільки вони володіють унікальними фізичними властивостями і можливістю практичного використання. При прикладанні зовнішнього магнітного поля суттєвий вплив на характеристики матеріалу дають обмінні взаємодії і завдяки великим значенням констант обмінної взаємодії Jsp-d - спостерігається значна модифікація спінового розщеплення і зміна зонної структури. Сучасні технології, зокрема молекулярна променева епітаксія, дозволяє отримувати НМН різноманітного складу у всьому діапазоні х від 0 до 1, а також дають можливість створювати комбіновані напівпровідникові структури, що складаються з магнітних і немагнітних компонент (гетеропереходи, надгратки та ін.) і з пониженою симетрією утвореного кристалу, утворюючи, так звані, низькорозмірні структури. Роль автора у виконанні даних науково-дослідних робіт полягала в удосконаленні методики аналізу енергетичних властивостей масивних напівпровідникових матеріалів і надграток на їх основі та дослідження їх магнітних властивостей. Наукова новизна результатів отриманих в дисертаційній роботі полягає в тому, що: Детально досліджено енергетичний спектр обємного твердого розчину Cd1-XMNXTE із врахуванням 3d - станів Mn та 4d - станів Cd в наближенні сильного звязку.Як показують розрахунки, 3d-стани Mn дають помітний вклад в густину станів валентної зони та зони провідності, що є результатом їх гібридизації з зонними станами. Зона заповнених 3d-станів знаходиться в області 3-4 ЕВ, а зона незаповнених станів розташована дещо вище дна зони провідності. Поблизу катіонної поверхні можлива ситуація, коли рівні, що походять із t2 стану стають нижчими в порівнянні із рівнями, що походять із е стану. Для обох поверхонь стан a2, що походить від обємного е стану, при наближенні до поверхні практично не змінює свого енергетичного положення. Для зясування ролі 3d-станів у формуванні поверхневих зон розраховано проекції повної густини електронних станів та парціального вкладу 3d-станів Mn на катіонну і аніонну поверхні Cd1-XMNXTE.