Методы формирования и виды электронно-дырочных переходов. Классификация и маркировка транзисторов. Устройство полупроводниковых интегральных гибридных микросхем. Аноды и сетки электронных ламп. Питание цепей усилителя и стабилизация рабочей точки.
Аннотация к работе
Для изготовления сплавного перехода пластину кремния (Si), например, n - типа тщательно шлифуют до необходимой толщины, затем на ее поверхности укрепляют небольшую таблетку элемента III группы (обычно это - бор (В); галлий (Ga) , индий (In)) и помещают в печь, где она нагревается до температуры ниже точки плавления полупроводника, но выше точки плавления примеси. Обозначение транзисторов состоит из шести элементов: Первый элемент - буква или цифра, определяющая исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор: Г или 1 - германий; К или 2 - кркмний; А или 3 - арсенид галлия. Ламповый диод имеет два электрода - катод и анод; триод - три электрода - катод , анод и сетку; тетрод - четыре электрода - катод, анод и две сетки (управляющая и экранирующая); пентод - катод, анод и три сетки _ управляющая, экранирующая и защитная (антидинатронная)) и т. д. В основе работы любой электронной лампы лежат эффекты электронной эмиссии . различают: термоэлектронную эмиссию - процесс излучения электронов с поверхности нагретого металла; фотоэлектронную эмиссию - процесс выхода электронов с поверхности металла, облучаемого лучистой энергией (лучи видимого спектра, инфракрасные, ультрафиолетовые и рентгеновские); вторичная электронная эмиссия - процесс выхода электронов с поверхности металла при облучении ее потоком электронов; электростатическая (автоэлектронная) эмиссия - процесс выхода электронов с холодной поверхности металла под действием сильного ускоряющего электрического поля (106 - 108 В/см). Если на анод относительно катода подать напряжение положительной полярности, то электроны, испускаемые катодом, под действием электрического поля будут устремляться к аноду, создавая в анодной цепи ток Іа, называемый анодным током.
Список литературы
1. Алексеенко А. Г., Шатурин И. И. Микросхемотехника: Учебное пособие. - М. : Радио и связь, 1990.
2. Забродин Ю. С. Промышленная электроника: Учебник. - М.: Радио и связь. 1992.
3. Пасынков В. В., Чиркин Л. К., Шинков А. Д., Полупроводниковые приборы: Учебник. - М.: 2001.
4. Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. - -М.: Энергия 1990.
5. Ушаков В. Н., Долженко О. В. Электроника: от транзистора до устройства. - М.: 2005.
6. Федоров В. И. Основы электроники. М.: 2007.
7. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным микросхемам./ Под. ред. Н. Н. Горюнова. - М.: Энергия 1995.\