Проблеми дослідження магнітної та кристалічної мікроструктури приповерхневих шарів епітаксійних плівок ЗІГ. Розробка методики чисельного аналізу експериментальних КЕМ спектрів гранатових структур з великою кількістю близьких нееквівалентних положень.
Аннотация к работе
Існування двох перехідних шарів плівка - повітря та плівка-підкладка, які в багатьох випадках по товщині співмірні з однорідною частиною плівки, особливо гостро ставить питання вивчення особливостей формування їх магнітної мікроструктури та можливості контрольованого впливу на них на етапі епітаксійного росту. Одним з основним інструментів формування заданих властивостей поверхневих шарів є іонна імплантація, і тому розгляд проблеми іонного перемішування, проведений в рамках ВІМС досліджень, важливий і для розуміння особливостей процесів, що відбуваються в монокристалічних плівках при іонному опроміненні. Використання взаємодоповнюючого комплексу експериментальних методів дослідження, чисельного аналізу отриманих результатів та компютерного моделювання фізичних процесів дозволило отримати нову достовірну інформацію: про особливості мікрокристалічної структури перехідних епітаксійних шарів, яка полягає в тому, що обертання підкладки на різних етапах епітаксії плівки ЗІГ з розчину-розплаву призводить як до змін концентрації входження елементів по товщині, так і їх катіонного розподілу та валентного стану як за підгратками, так і в середині кожної з підграток зокрема; поверхневий шар товщиною 20-30нм формується після відриву підкладки з плівкою від поверхні розчину-розплаву, а його мікрокристалічна структура визначається передісторією самого рідкофазного процесу; Основні результати роботи доповідалися та обговорювалися на наукових семінарах, школах, конференціях: І Міжнародному симпозіумі "Фізико-хімічна механіка композиційних матеріалів" (Івано-Франківськ, 1993), VI Міжнародній конференції "Фізика і технологія тонких плівок"(Івано-Франківськ, 1997), ІІ Міжнародній школі-конференції "Physical problem in material science of semiconductors" (Чернівці, 1997), Міжнародній конференції INTAS-UCRAINE WORKSHOP on Condensed Matter Physics (Львів, 1998), VII міжнародній конференції "Фізика і технологія тонких плівок" (Івано-Франківськ, 1999), 8th European Magnetic Materials and Applications Conference (June 7-10" 2000, Kyiv, Ukraine), ІІ всеукраїнській науковій конференції "Нелінійні проблеми аналізу" (Івано-Франківськ, 26-29 вересня 2000року).
Список литературы
1. Остафийчук Б.К., Ткачук В.М., Ворончак О.М. О возможном механизме аморфизации поверхности феррит - гранатовых пленок вследствие ионной имплантации// Металлофизика и новейшие технологии.- 1994.-Т.16, №8.- С.51-54.
3. Tkachuk O.M., Tkachuk V.M. The Local Magnetic Y3Fe5O12 Structure Implanted by As Ions// Phys. Stat. Sol. (a).- 1999.-V.172.-P.477-484.
4. Б.К. Остафійчук, О.М. Ткачук, В.М. Ткачук, В.Д. Федорів. Механізм формування ефективних магнетних полів та ізомерного зсуву на ядрах Fe57 в ітрієвому ферит-гранаті при йонній імплантації кисню// Журнал фізичних досліджень. - 1999.-T.3, №1.-С.113-116.
5. Ткачук В.М., Ткачук О.М. Модельне дослідження процесів іонної імплантації в багатокомпонентні структури// Вісник Прикарпатського університету. Природничо-математичні науки.-1995.-B.1-C.129-131.
6. Ткачук О.М., Ткачук В.М., Яворський Б.І. Особливості формування магнітної мікроструктури плівок залізо-ітрієвого гранату, підданих іонному опроміненню// Вісник Прикарпатського університету. Природничо-математичні науки. -1996.- B.2-C.109-118.
7. Остафійчук Б.К., Ткачук В.М., Пилипів В.М. Вплив режиму епітаксії на магнітну мікроструктуру перехідних шарів плівок ЗІГ// Фізика і хімія твердого тіла.-2000.- T.1, №2.- C.319-324.
8. Остафійчук Б.К., Ткачук В.М.. Вплив вторинних процесів та ефекту кратера на роздільну здатність методу ВІМС// Металлофизика и новейшие технологии.-2000.- T.22, №10.- C.10-14.
9. Остафійчук Б.К., Ткачук В.М., Ткачук О.М., Федорів В.Д. Мессбауерівські дослідження монокристалічних плівок залізо-ітрієвого гранату у зовнішньому магнітному полі // Металлофизика и новейшие технологии. - 2000.- Т.22, №11.- С.11-16.