Виявлення природи нових динамічних явищ, індукованих взаємодіями спінових систем локальних і нелокальних центрів у напівпровідниках та низькоомних твердих розчинах. Їх впливу на мікрохвильовий відгук, магнітні та електричні властивості цих матеріалів.
Аннотация к работе
Спінові системи стали також основою багатьох сучасних технічних пристроїв і, оскільки сучасна мікроелектроніка усе більш переходить на атомно-молекулярний рівень, їх значення в цьому плані продовжує зростати. У результаті зявляється можливість вивчати як динамічний відгук спінових систем, так і характер їхньої релаксації після припинення дії збуджуючих факторів. Останнє зумовлено тим, що саме динамічні властивості спінових систем відіграють важливу роль як у реалізованих на цій основі технічних пристроях (лазери, мазери, магніторезонансні томографи, усілякі датчики випромінювань), так і в перспективних розробках, таких, наприклад, як квантові компютери. До моменту початку роботи над дисертацією широкий науковий напрямок - дослідження спін-залежних явищ у напівпровідниках, - тільки зароджувався і перспективи таких досліджень були не зовсім зрозумілі. В основу дисертації покладено результати досліджень, виконаних відповідно основним науковим напрямкам діяльності Інституту фізики напівпровідників НАН України та згідно з розпорядженнями Президії НАН України і постановами Бюро Відділення фізики й астрономії НАН України: Дослідження методами радіоспектроскопії локальних характеристик дефектів у напівпровідникових та діелектричних кристалах з метою керування властивостями матеріалів та покращення їхньої технології (1986-1990р.р., НАН України, № держреєстр.При малих D парамагнітні дефекти зосереджені в ізольованих одна від одної аморфних областях, в яких ширина спінових пакетів визначається спільною дією диполь-дипольної та обмінної взаємодій і зменшується з ростом D, а лінія ЕПР в цілому залишається неоднорідно уширеною, оскільки виключена просторова спінова дифузія між окремими областями. Показано, що ступінь орієнтації ПЦ визначається коефіцієнтом спін-залежного захоплення електронів a, який, в залежності від своєї природи, може бути як ізотропним (за рахунок різниці імовірностей захоплення в стани з j± =S±Ѕ), так і анізотропним. Стани з j і j-змішуються оператором локального поля (сумарний момент j=S ± 1/2 системи не зберігається) і, внаслідок різної імовірності розпаду цих станів, виникає ефект спінової орієнтації. Праворуч показана схема спін-релаксаційних експериментів, на основі яких визначалися перетини захоплення електронів на центри Cr і (Cr - B-): с) - "випалювання дірки" у лінії ЕПР вузьким імпульсом НВЧ; d) - насичення всієї лінії широким імпульсом. Порівнюючи результати експерименту з теорією, визначено швидкість розпаду триплетних станів R @ 3,2ґ103 с-1 і показано, що температурно-залежні характеристики системи визначаються власними механізмами СГР триплетних центрів.У дисертації розглянуто наукову проблему зясування природи, основних закономірностей і характеристик нових динамічних явищ, індукованих взаємодією спінових систем різної природи у твердотільних матеріалах при наявності носіїв струму. Виявлено ряд нових фізичних ефектів - спінової орієнтації локальних центрів носіями струму, електродипольного спінового резонансу на дислокаційних диполях у кремнії, аномального мікрохвильового поглинання у надгратках PBTE-PBS, періодичного по Н-полю мікрохвильового поглинання в монокристалах ВТНП, ефект g-анізотропії в аморфних плівках і ряду інших - та надана їх послідовна інтерпретація. Наявність динамічного контакту приводить також до прискорення спінової релаксації локальних ПЦ, детальне вивчення якої дозволило вперше визначити низькотемпературні перерізи захоплення електронів на центри Cr і (Cr -B-) у кремнії. Вперше встановлено, що при відпалі зразків Cz-кремнію (Твід@650° С) у результаті кластеризації кисню і формування протяжних дефектів утворюються два типи електрично активних ПЦ, зумовлених: а) локалізацією електронів на флуктуаціях кристалічного потенціалу (термодонори ТД-II); б) захопленням електронів на просторово обмежені квазідвомірні структури - дислокаційні диполі (Si-NK центри). У зразках з Si-NK центрами виявлено сильне нерезонансне мікрохвильове поглинання, природа якого повязана з НВЧ-провідністю за рахунок термоактивованого стрибкового руху електронів уздовж дислокаційних диполів.
План
ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ
Вывод
У дисертації розглянуто наукову проблему зясування природи, основних закономірностей і характеристик нових динамічних явищ, індукованих взаємодією спінових систем різної природи у твердотільних матеріалах при наявності носіїв струму. Отримано ряд нових результатів, які у комплексі дозволяють вирішити поставлену проблему. Встановлено основні закономірності процесів динаміки парамагнітних систем у широкому спектрі матеріалів. Вивчено механізми спінових взаємодій як в ансамблі спінів одного сорту, так і для декількох взаємодіючих підсистем різної природи. Виявлено ряд нових фізичних ефектів - спінової орієнтації локальних центрів носіями струму, електродипольного спінового резонансу на дислокаційних диполях у кремнії, аномального мікрохвильового поглинання у надгратках PBTE-PBS, періодичного по Н-полю мікрохвильового поглинання в монокристалах ВТНП, ефект g-анізотропії в аморфних плівках і ряду інших - та надана їх послідовна інтерпретація.
Виходячи з аналізу проведених досліджень можна сформулювати такі основні результати та ВИСНОВКИ роботи: 1. Встановлено звязок між процесами поступового розупорядкування поверхні монокристалічного напівпровідника (Si) під дією іонної імплантації та динамікою парамагнітної системи дефектів, зумовлених розривом =Si=Si= звязків. З ростом концентрації ПЦ активізуються процеси стрибкового руху електронів і повязаний з ними механізм спін-граткової релаксації, температурна залежність швидкості якої вказує на перевагу “стрибків змінної довжини”. У випадку аморфних плівок (a-C: H) бомбардування різними іонами (W, Ni) стимулює процеси ефузії водню і структурної релаксації плівок. Це приводить до немонотонної залежності концентрації дефектів від дози імплантації і зміні “рухового” і супернадтонкого внесків у ширину лінії ЕПР.
2. Наявність носіїв струму в напівпровіднику приводить до ефективних механізмів спін-залежних носій-домішкових взаємодій. Виявлено новий фізичний ефект - спінову орієнтацію локальних центрів, зумовлену спін-залежними процесами захоплення на них фотозбуджених носіїв [Si: (Cr -B-)]. Ступінь орієнтації визначається коефіцієнтом спін-залежного захоплення a, а кутова залежність величини ефекту повязана з впливом локальних полів в умовах динамічного контакту спін-систем носіїв і локальних центрів. Наявність динамічного контакту приводить також до прискорення спінової релаксації локальних ПЦ, детальне вивчення якої дозволило вперше визначити низькотемпературні перерізи захоплення електронів на центри Cr і (Cr -B-) у кремнії.
3. Інший механізм спінової орієнтації реалізується в системі оптично збуджених триплетних станів радіаційних дефектів у кремнії (Si-S1 центри). Уперше показано, що нерівноважність спінових станів триплету забезпечується селективністю процесів переходу з метастабільного триплетного стану в основний - синглетний. Спостережувана температурна залежність величини орієнтації визначається ефективністю власних механізмів спін-граткової релаксації триплетних центрів.
4. Спінова динаміка в системах зі зниженою розмірністю має істотні особливості. Вперше встановлено, що при відпалі зразків Cz -кремнію (Твід@650° С) у результаті кластеризації кисню і формування протяжних дефектів утворюються два типи електрично активних ПЦ, зумовлених: а) локалізацією електронів на флуктуаціях кристалічного потенціалу (термодонори ТД-II); б) захопленням електронів на просторово обмежені квазідвомірні структури - дислокаційні диполі (Si-NK центри). Рух електрона в потенціалі дислокаційного диполя підсилює магнето-електричний звязок та індукує переходи між спіновими підрівнями за рахунок електричної (E1) компоненти НВЧ поля, породжуючи новий тип резонансних сигналів - електродипольний спіновий резонанс. Інтенсивність і форма ліній ЕДСР є повязаними з орієнтацією E1 і описуються теорією ЕДСР.
5. У зразках з Si-NK центрами виявлено сильне нерезонансне мікрохвильове поглинання, природа якого повязана з НВЧ-провідністю за рахунок термоактивованого стрибкового руху електронів уздовж дислокаційних диполів. З температурної залежності величини ефекту визначена енергія активації стрибків e1 @ 0,4 МЕВ. Встановлено, що електрони захоплюються на ДД із системи термодонорів ТД-II, переводячи ДД у електрично активний і парамагнітний (Si-NK центри) стан. Динаміка сигналів резонансного (ЕДСР) і нерезонансного поглинання є незвичайною і вказує на тенденцію до їх різкого послаблення при Т®0, що повязано з уповільненням стрибкового руху.
6. У твердих 3-d розчинах з високою рівноважною концентрацією носіїв виділено три типи парамагнітних підсистем: s- електрони провідності, ізольовані локалізовані моменти (d-електрони) і суперпарамагнітні кластери. Динаміка їх взаємодії визначає температурні залежності g-фактора сигналу ЕПР і магнітної сприйнятливості матеріалу. Виявлено, що введення водню в 3-d сплави ініціює сигнал феромагнітного резонансу, ширина якого визначається розсіюванням електронів на атомах водню. Встановлено кореляцію між процесами десорбції міжвузлевого водню і динамікою сигналу ФМР, з аналізу якої визначена енергія активації процесів міграції водню Еа=0,56±0,02 ЕВ. У сплавах Ni2MNGA з магнітною памяттю форми вперше встановлено звязок між значеннями коефіцієнтів магнітної анізотропії, концентрацією вільних носіїв і величиною ефекту магніто-індукованої деформації.
7. Динаміка мікрохвильового поглинання змінюється принципово в умовах надпровідності. Внаслідок синглетного спаровування електронів сигнали ЕПР носіїв у таких системах є пригніченими, однак при ТЈТС виникають нові сигнали мікрохвильового відгуку в слабких магнітних полях, обумовлені, зокрема, наявністю слабких звязків. У випадку дислокаційно-індукованої надпровідності у надгратках PBTE-PBS виявлено сигнали типу “гістерезисна петля”, природа яких повязана з можливістю реверса критичного стану надпровідника поблизу поверхні зразка. У монокристалах ВТНП вперше виявлено і пояснено періодичний по Н-полю мікрохвильовий відгук. Його природа повязана з утворенням замкнутих контурів квантування магнітного потоку та ефектом макроскопічної квантової інтерференції (НКВІД-ефект). Виміри релаксації магнітного потоку за допомогою “природних” НКВІДІВ в цих же зразках показують наявність “слабких” центрів пінінга, зумовлених присутністю безлічі слабких звязків.
8. Динаміка ПЦ в умовах взаємодії пара- і феромагнітних підсистем істотно модифікується. У фулериті С60 і вперше синтезованому композиті С60: Er зясовано природу ЕПР-активних дефектів, повязану з катіонами-радикалами С60 , спін яких досить жорстко локалізований при кімнатних температурах. У композиті виявлена сильна зміна величини g-фактора, ширини лінії ЕПР і швидкості спінової релаксації ПЦ С60 при низьких температурах, зумовлене взаємодією з підсистемою Er3 . Остання демонструє розтягнутий по температурі фазовий перехід у феромагнітний стан з температурою Кюрі переходу Тс @ 7 К, індукований за рахунок суперобміну іонів Er3 з лігандними молекулами С60 (J0 @ 20 МЭВ).
9. Спінова динаміка в тонких плівках відбиває ряд їх особливостей. Для широкого спектру аморфних вуглецевих плівок (ta-C, DLHC і PLHC) вперше встановлено кореляцію між умовами осадження і фазовим складом плівок, з одного боку, і характеристиками парамагнітної системи дефектів (обірвані =С=С= звязки, g=2.0025), з іншої. Концентрація ПЦ, характер їх розподілу і величина внесків різних механізмів у ширину лінії ЕПР, у тому числі за рахунок термічно активованих стрибків електронів, віддзеркалюють зміну мікроструктури плівок і величини внутрішніх напружень у них. Виявлено яскравий прояв механізмів обмінного і рухового звуження лінії ЕПР. Присутність водню в плівках сприяє їхній релаксації, зменшуючи величину внутрішніх напружень і концентрацію парамагнітних дефектів. Несподіваний для аморфних матеріалів ефект анізотропії g-фактора виявлений у а-С плівках при низьких температурах. Показано, що він повязаний з особливостями диполь-дипольної взаємодії в тонкій плівці, які яскравіше виявляються при великій густині спінів і низьких температурах.
Таким чином, виявлено та описано різноманітні динамічні явища, індуковані внутрішніми та зовнішніми взаємодіями спінових систем вільних носіїв і локальних центрів у напівпровідниках і низькоомних твердих розчинах. Зокрема, носій-домішкові взаємодії в напівпровідниках визначають нові механізми спінової релаксації та орієнтації локальних центрів, з одного боку, і швидкість спін-залежної рекомбінації носіїв, з іншого. У сукупності результати дисертації являють собою завершену систему даних фундаментального характеру щодо природи спін-залежних динамічних явищ та їх впливу на магнітні і електричні властивості широкого спектру технічно важливих твердотільних матеріалів.
Отримані в дисертації нові результати важливі з погляду їхнього наукового і практичного використання. У наукових дослідженнях вони повинні враховуватися при вирішенні фізичних проблем взаємодії мікрохвильового випромінювання з конденсованим середовищем, зокрема, з напівпровідниками і надпровідниками, де результати дисертації є однією з складових формування наукових напрямків - “спін-залежні взаємодії в напівпровідниках” та “мікрохвильова діагностика надпровідників”. На практиці отримані результати варто застосовувати при розробці технічних пристроїв, що використовують явища спін-залежного переносу, в області термічного і радіаційного керування властивостями напівпровідників, для удосконалювання технології осадження тонких напівпровідникових та діелектричних плівок, а також при розробці і конструюванні магніто-механічних перетворювачів.
Достовірність отриманих результатів забезпечується комплексністю проведених досліджень з застосуванням добре апробованих експериментальних методик, послідовним і всебічним характером дослідження, ясною фізичною картиною вивчених явищ і закономірностей, що добре узгоджуються з теоретичними розрахунками і з існуючими уявленнями про характер взаємодій електронних і ядерних спінових систем одна з одною і з граткою у твердих тілах. Основний експериментальний метод - нестаціонарна ЕПР спектроскопія - є прямим методом спостереження динаміки спінових систем. В усіх випадках перевірялася відтворюваність результатів, проводилася оцінка похибок експерименту. Додатковим фактором перевірки служило порівняння результатів з даними інших дослідників. Результати дисертації опубліковані в авторитетних реферованих вітчизняних і міжнародних виданнях (Physica B: Condensed Matter, Solid State Communication, Physica Status Solidi, Journal of Magnetism and Magnetic materials, Journal of Physics: Condensed Matter, ЖЭТФ, Письма в ЖЭТФ, Физика твердого тела, Физика и техника полупроводников та ін.), а також були широко апробовані на міжнародних і вітчизняних конференціях, семінарах, симпозіумах (наведені в загальній характеристиці роботи).
РЕЗУЛЬТАТИ ДИСЕРТАЦІЇ ОПУБЛІКОВАНО В РОБОТАХ: 1. Бугай А.А., Зарицкий И.М., Кончиц А.А., Лысенко В.С. - Спин-решеточная релаксация в аморфном кремнии. // ФТТ. -1984. -Т.26, №7. -С. 1939-1942.
3. Кончиц А.А., Шанина Б.Д. Оптически индуцированная спиновая ориентация в кремнии, легированном хромом. //ФТТ. -1986. -Т.28, №2. - С. 399-404.
4. Кончиц А.А., Шанина Б.Д. Динамика спиновых систем и носитель-примесное взаимодействие в полупроводниках. // Радиоспектроскопия твердого тела. - Киев: Наукова думка. -1992. - С. 312-355.
5. Кончиц А.А., Шанина Б.Д. Спиновая релаксация заряженных центров в кремнии в присутствии фотоносителей (Si:Cr , [Cr -B-]0). // ФТТ. - 2001. - Т.43, №4. - С. 611-615.
6. Власенко Л.С., Зарицкий И.М., Кончиц А.А., Шанина Б.Д. Исследование методом ЭПР процессов оптического возбуждения Si-S1 центров в облученном кремнии. // ФТТ. - 1984. - Т.26, №1. - С. 114-119.
7. Бабич В.М., Баран Н.П., Бугай А.А., Кончиц А.А., Максименко В.М. - СВЧ-проводимость и инвертированный сигнал ЭПР новых центров в кремнии с кислородом. // Письма в ЖЭТФ. - 1986. - Т.44, №11. - С. 513-515.
8. Babich V.M., Baran N.P., Bugai A.A., Konchits A.A., Kovalchuk V.B., Maksimenko V.M., Shanina B.D. Electrical and paramagnetic properties of thermodonors-II in silicon. // Phys. Stat. Sol. (a). - 1988. - Vol.109. - P. 537-547.
9. Бабич В.М., Баран Н.П., Бугай А.А, Кончиц А.А., Шанина Б.Д. Фоточувствительный электродипольный резонанс новых центров в кремнии с кислородом. //Труды Всесоюзного семинара по ОДМР. - Таллинн. - 1987. - Изв. АН СССР. - 1988. - Т.52, №3. - С. 489-492.
11. Konchits A.A., Shanina B.D. Microwave conductivity and spin resonance of Si-NK centers at dislocation dipoles in silicon. // Physica B: Cond. Matt. - 1995. -Vol.215. - P. 404-414.
12. Shanina B.D., Kolesnik S.P., Konchytz A.A., Gavriljuk V.G., Smouk S.Yu., Tarasenko A.V. Influence of the interstitial nitrogen on the paramagnetic properties of the multicomponent d-element iron-based alloy. // Solid St. Commun. - 1994. -Vol.90, №2. - P. 109-113.
13. Shanina B.D., Gavriljuk V.G., Konchits A.A., Kolesnik S.P., Tarasenko A.V. Exchange interaction between electron subsystems in iron based fcc alloys doped nitrogen or carbon. // Phys.Stat.Sol.(a). - 1995. - Vol.149. - P. 711-722
14. Shanina B.D., Kolesnik S.P., Konchitz A.A., Gavriljuk V.G., Tarasenko A.V. Study of hydrogen desorption from Fe55 Cr25 Ni20 alloy by means of ferromagnetic resonance. //Journal of Physics: Condens. Matter. - 1996. - Vol.8. - P. 1831-1844.
15. Shanina B.D., Gavriljuk V.G., Konchits A.A., Kolesnik S.P. The influence of substitutional atoms upon the electron structure of the iron-based transition metal alloys // J. Phys.: Condensed Matter. - 1998. - Vol.10. - P. 1825-1838.
17. Бугай А.А., Буш А.А., Зарицкий И.М., Кончиц А.А., Каширина Н.И., Колесник С.П. Эффекты макроскопической квантовой интерференции на СВЧ в монокристаллах высокотемпературных сверхпроводников. // Письма ЖЭТФ. - 1988. - Т.48, №4. - С. 209-211.
18. Кончиц А.А., Зарицкий И.М., Бугай А.А., Каширина Н.И., Колесник С.П. О природе периодических помагнитному полю СВЧ-потерь в монокристаллах ВТСП. // СФХТ. - 1989. - Т.2, №6. - С. 25-29.
19. Кончиц А.А., Зарицкий И.М., Колесник С.П., Шанина Б.Д. Релаксация магнитного потока в монокристаллах ВТСП: изучение с помощью внутреннего СВЧ-сквида. // СФХТ. - 1991. - Т.4, №12. - С. 2333-2341.
20. Зарицкий И.М., Стефанович В.А., Колесник С.П., Кончиц А.А. О форме сигнала и природе микроволнового отклика в ВТСП материалах. // Письма в ЖТФ. - 1992. - Т.18, №1. - С. 8-13.
21. Зарицкий И.М., Кончиц А.А., Колесник С.П., Стефанович В.А., Миронов О.А., Чистяков С.В. Природа гистерезисных сигналов микроволнового отклика в ВТСП и ВТСП-подобных системах: Препр. /АН Украины. Ин-т полупроводников; 4-91. -К.: 1991.- 32 с.
24. Mironov O.A., Chistyakov S.V., Zaritskii I.M., Konchits A.A., Kolesnik S.P., Stephanovich V.A., Sipatov A.Yu., Fedorenko A.I. The nature of magnetic field hysteretic microwave absorption in the HTSC thin films and HTSC models epitaxial superlattices PBTE-PBS. // Physica C. - 1991. - Vol.180. - P. 196-198.
25. Mironov O.A., Makarovskii O.N., Fedorenko A.I., Sipatov A.Yu., Nashchekina O.N., Zaritskii I.M., Konchits A.A. Dislocation superlattices based on lead chalcogenides as model for High Tc superconductors. Proc. Inter. Conf. on narrow gap semiconductors. -Southampton (UK). -1992. - P. 162-163.
26. Mironov O.A., Fedorenko A.I., Zorchenko V.V., Sipatov A.Yu., Nashchekina O.N., Zaritskii I.M., Konchits A.A. Anisotropic microwave absorption in high-Tc like semiconductor superconducting superlattices (001) PBTE-PBS. // Acta Phys. Pol., A. - 1994. - Vol.85, №3. - P. 603-606.
27. Зарицкий И.М., Ракитина Л.Г., Кончиц А.А., Корради Г., Полгар К. Нерезонансное микроволновое поглощение в низких магнитных полях в LINBO3:Mg:Cr (Fe). // Письма ЖЭТФ. - 1992. - Т.55, №9. - С. 516-519.
28. Rakitina L.G., Zaritskii I.M., Corradi G., Polgar K., Konchits A.A. Two types of nonresonant microwave absorption near zero magnetic field in double-doped LINBO3. Proc. International Workshop of the Oxyde Crystals Network. - Balatonfured (Hungary). - 1996. - P. P.3.
31. Zaritskii I.M., Konchitz A.A., Pokhodnia K.I., Bulach B.M. ESR and spin-lattice relaxation in fullerites. // Proc. of AMPERE Workshop on magnetic resonances and microwave absorption in the High-Tc superconducting materials. - Poznan (Poland). - 1994. - P. 37.
32. Кончиц А.А. ЭПР и спиновая релаксация оборванных связей в фуллеритах. // Сверхтвердые материалы. - 1997. -№4. -С. 72-78.
34. Кончиц А.А., Колесник С.П., Шанина Б.Д. Кацай М.Я. Природа аномальных ЭПР-свойств композита C60: Er, индуцируемых термобарической обработкой. Труды Международного семинара "Радиоспектроскопия конденсированных сред". - Киев. - 1998. - С. 18.
35. Shanina B.D., Konchits A.A., Kolesnik S.P., Katsaj M.Ya. Electron paramagnetic resonance and magnetic properties of composite C60: Er. // Journ. of Magn. and Magn.Materials. - 2000. -Vol.210. -P. 215-224.
36. Shanina B.D., Konchits A.A., Kolesnik S.P., Katsaj M.Ya. Specifications of the magnetic ordering in composite C60: Er. // Proc. 22nd International Conf. on Low Temperature Physics LT-22. - Helsinki (Finland). - 1999. Physica B. - 2000. -Vol.284-288. -P. 1315-1316.
37. Shanina B.D., Gavriljuk V.G., Konchits A.A., Kolesnik S.P. Influence of interstitial and substitutional impurities upon the electron structure of iron-based alloys // Proc. 22nd International Conf. on Low Temperature Physics LT-22. - Helsinki (Finland). - 1999. Physica B. - 2000. -Vol.284-288. -P. 1313-1314.
38. Кончиц А.А., Валах М.Я., Колесник С.П., Шанина Б.Д., Кэри Д., Силва С.Р.П. Электронный парамагнитный резонанс в DLHC пленках, имплантированных W и Ni. // Тезисы докладов II-й Междунар. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". - Санкт-Петербург: -2000. С. 49.
39. Шанина Б.Д., Кончиц А.А., Колесник С.П., Валах М.Я., Высоцкий В.Г., Друзь Б., Зарицкий И.М., Евтухов Ю. Изучение электронных центров в тонких ta-C и DLHC пленках. // Тезисы докладов II-й Междунар. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". - Санкт-Петербург: -2000. С. 70.
40. Druz B., Zaritskij I., Evtukhov Yu., Konchits A., Valakh M.Ya., Kolesnik S.P., Shanina B.D., Visotskij V. Filtered cathodic arc deposited diamond like carbon: electron spin resonance (ESR) and Raman spectroscopy. // Proc. International Conf.: MRS Fall Meeting. Symposium U: Amorphous and Nanostructures Carbon. - Boston (USA). - 1999. - Mat. Res. Soc. Symp. Proc. - 2000. - Vol.593. - P.249-254.