Динамічні процеси в напівпровідникових лазерах високошвидкісних волоконно-оптичних систем - Автореферат

Чисельні оцінки доводять, що і системи на базі спектрального мультиплексування, і радіо-волоконні системи потребують нового покоління швидкодіючих лазерних випромінювачів, які повинні забезпечити генерацію імпульсів пікосекундної тривалості із швидкістю більше 40 Гбіт/с. Повноцінне керування процесом створення широкого класу приладів і систем, у тому числі волоконно-оптичних систем (ВОС) з використанням у них напівпровідникових лазерів з квантовим обмеженням, потребує нових методів і інструментів для моделювання, які ґрунтуються на доброму розумінні фізичних процесів і точних знаннях про вихідні параметри. Квантоворозмірні (КР) технології з використанням багаточисельних шарів товщиною, порівняною з довжиною хвилі де Бройля, дозволяють виготовити лазери із надзвичайно широкою смугою модуляції. При швидкості, більшій 10 Гбіт/с, відбувається обмеження довжини лінії через взаємозвязок між дисперсією волоконного світловода і лазерного джерела, яка є паразитною модуляцією частоти лазера. Перш за все, перед дослідниками виникає потреба адекватного теоретичного опису фізичних процесів у волоконних світловодах і напівпровідникових лазерах на гетероструктурах із масивним і квантоворозмірним активним шаром, у тому числі такого, що пояснює фізичні явища перенесення носіїв заряду у напівпровідниковій структурі при різних режимах роботи лазера і їх взаємодії між собою і з полем випромінювання.У вступній частині обґрунтовано актуальність теми дисертації і дано оцінку сучасного стану проблеми на момент початку досліджень, сформульовані мета і задачі роботи, наукова новина і практична цінність отриманих результатів, наведена інформація про особистий вклад автора, відомості про апробацію роботи, публікації і структуру дисертації.Створення адекватної моделі великого сигналу високошвидкісного гетеролазера вимагає врахування того, що період зміни електромагнітного поля, а, відтак, процесів взаємодії його з носіями заряду, порівняний з часом життя носіїв у активному шарі резонатора. Чисельний аналіз показує, що ця модель забезпечує збереження точності розрахунку динамічного відгуку лазера незалежно від кількості квантових ям. Аналіз енергетичної структури КРС-лазера з роздільним обмеженням носії показав помилковість застосування теорії амбіполярного дифузійного перенесення для аналізу ЛД у режимі вище порогу. "Підсилення у режимі великого сигналу, вплив нелінійних ефектів і особливостей КР-структури на спектральні і модуляційні характеристики КРС-лазерів" присвячено аналізу процесів підсилення і обґрунтуванню застосування теоретичних методів для моделювання нелінійного насичення підсилення у напівпровідникових лазерах з обємною і квантоворозмірною структурами в умовах модуляції великого сигналу. “Динамічна дифузійна модель КРС - лазера у режимі великого сигналу з урахуванням амплітудно-фазового звязку” присвячено узагальненню моделі перенесення великого сигналу для аналізу динамічного відгуку КРС - лазерів і нелінійних процесів амплітудно-фазового звязку, а також розвитку теорії процесів розповсюдження сигналу з врахуванням амплітудно-фазового звязку через оптоволоконний канал.Розвязання проблеми досягнуто в результаті створення комплексу рішень, отриманих шляхом побудови фізичних і математичних моделей, які грунтуються на дифузійних уявленнях про процеси генерації і поширення оптичного випромінювання, а також приведення у відповідність параметрів, отриманих експериментально з фізичною будовою напівпровідникового квантоворозмірного лазера і його моделлю. Він потребує введення представлення про двосхідчастий процес перенесення носіїв заряду, який містить дифузійне перенесення носіїв від контактних ділянок до активної ділянки, і процес взаємодії строго визначеної частини носіїв з квантовою ямою. Вперше показано, що тільки нижче порогу час накопичення заряду дійсно рівний амбіполярному часу життя , тоді як вище порогу КР-шар споживає носії заряду, час нагромадження скорочується і строго залежить від характеру і величини струму накачування. Вперше запропоновані методи теоретичного опису режиму великого сигналу на основі дифузійних диференційних рівнянь, які дозволили ввести у модель напівпровідникового лазера багатосхідчасті процеси перенесення носіїв заряду у складних конфігураціях лазерної напівпровідникової структури. Теоретично описано передатні властивості напівпровідникових лазерів з масивною активною зоною і показано, що збільшення потужності модулюючого сигналу призводить до зміни параметрів лазера за рахунок підсилення впливу перехідних процесів і нагрівання активної ділянки.

Основний зміст роботи

Сукупність наукових результатів дисертації є рішенням наукової проблеми, що полягає у адекватному теоретичному описі фізичних процесів і динамічних характеристик, що експериментально спостерігаються в пасивних і активних елементах високошвидкісних волоконно-оптичних систем. Розвязання проблеми досягнуто в результаті створення комплексу рішень, отриманих шляхом побудови фізичних і математичних моделей, які грунтуються на дифузійних уявленнях про процеси генерації і поширення оптичного випромінювання, а також приведення у відповідність параметрів, отриманих експериментально з фізичною будовою напівпровідникового квантоворозмірного лазера і його моделлю.

Головні результати роботи такі: 1. Дано теоретичний опис динамічної поведінки високошвидкісних напівпровідникових лазерних джерел випромінювання на квантоворозмірних структурах. Він потребує введення представлення про двосхідчастий процес перенесення носіїв заряду, який містить дифузійне перенесення носіїв від контактних ділянок до активної ділянки, і процес взаємодії строго визначеної частини носіїв з квантовою ямою.

2. Вперше показано, що тільки нижче порогу час накопичення заряду дійсно рівний амбіполярному часу життя , тоді як вище порогу КР-шар споживає носії заряду, час нагромадження скорочується і строго залежить від характеру і величини струму накачування. Висновок про зміну часу нагромадження заряду при переході через поріг дає адекватний опис процесів перенесення як для режиму малого сигналу, так і особливо для режиму великого сигналу.

3. Розвинута теорія КРС-лазерів торцьового типу з роздільним обмеженням поля і носіїв заряду. Вперше запропоновані методи теоретичного опису режиму великого сигналу на основі дифузійних диференційних рівнянь, які дозволили ввести у модель напівпровідникового лазера багатосхідчасті процеси перенесення носіїв заряду у складних конфігураціях лазерної напівпровідникової структури.

4. Теоретично описано передатні властивості напівпровідникових лазерів з масивною активною зоною і показано, що збільшення потужності модулюючого сигналу призводить до зміни параметрів лазера за рахунок підсилення впливу перехідних процесів і нагрівання активної ділянки. Як наслідок, відбувається зміна частоти електрон-фотонного резонансу і скорочення широкосмуговості. Вказано на те, що найбільш критичними параметрами є диференційне і нелінійне підсилення.

5. Розвинуті існуючі теоретичні методи опису лінійного і нелінійного підсилення у активній ділянці напівпровідникових лазерів з КР-структурою. Визначені відповідні моделі для різних режимів модуляції лазера, які краще описують експериментально спостережувані динамічні характеристики. Сформульовано нові вирази і отримано дані, які дозволяють збільшити диференційне підсилення у 4 і більше рази за рахунок введення еластичної деформації активної зони. Вперше запропонована модель, яка описує зміну коефіцієнта насичення підсилення від рівня струму накачування, що відповідає динамічній поведінці КРС-лазера у режимі великого сигналу.

6. Показано, що на відміну від відомих методів мало сигнального аналізу амплітудно-фазового звязку при збільшенні глибини модуляції для аналізу чирпінга слід застосовувати запропонований метод аналізу на основі розширеної системи швидкісних рівнянь. Вперше одержано опис режимів генерації лазера, який призначено для здійснення перетворення (збільшення) частоти.

7. На підставі теорії звязаних потужностей запропоновано уточнений теоретичний метод опису пасивного каналу локальних систем персонального доступу з урахуванням модових і дисперсійних характеристик у БМ ОВ і показана можливість зниження дисперсійних викривлень у БМ ОВ малої довжини. Знайдено строгий звязок дисперсійних і передавальних властивостей волоконних світловодів з властивостями оболонки і мод, які спроможні розповсюджуватися в ній як з модами, що витікають, так і з сильно випромінювальними модами. Застосування запропонованого методу у лініях малої довжини дозволяє покращити умови передавання сигналу і, як наслідок, збільшити коефіцієнт передавання і широкосмуговості локальних ліній для персонального доступу.

7. Розвинуто теорію двокомпонентного гетеролазера, що будується на розвязанні швидкісних рівнянь і показана можливість розширення смуги модуляції. Запропонована і досліджена конструкція ДКГЛ, яка має ділянку стаціонарного режиму генерації, що забезпечує аналоговий режим модуляції. Вперше показана можливість досягнення широкосмуговості аналогового режиму ДКГЛ до 4 ГГЦ.

8. Розвинута теорія КРС-лазера поверхневого випромінювання з вертикальним резонатором. Вперше запропонована і чисельно досліджена узагальнена дифузійна модель. Вона дозволила розрахувати динамічні, термодинамічні і просторові характеристики при урахуванні нелінійних ефектів просторового випалювання дірок. Вперше отримано розвязок для просторового розподілу поля у лазері з оксидним вікном, яке дозволяє визначити форму оксидного вікна, що забезпечує зниження величини порогового струму і збільшення смуги модуляції.

9. Одержані рішення, які містять створення і застосування дифузійної динамічної моделі напівпровідникового лазера у вигляді швидкісних рівнянь з залежним від часу дифузійним рівнянням перенесення носіїв заряду, враховують квантовомеханічні когерентні ефекти при мінімальному числі феноменологічних параметрів. Вони можуть застосовуватись для опису поведінки КРС-лазерів різних типів при прямій модуляції імпульсами тривалістю менше 50 пс.

Suchoivanov I. A. Zusatzdampfung durch Mikrokrummungen in kurzen Multimode Lichtwellenleitern mit Stufenprofil // Nachrichtentechnik Elektronik. - 1989, №5. - P. 170-171.

Suchoivanov I. A. Untersuchung der Modenwandlung fur die Bestimmung von Mikrokrummungs-parametern in Lichtwellenleitern // Nachrichtentechnik Elektronik. - 1989, №6. - P. 212-214.

Молявко В. И., Петров С. И., Сухоиванов И. А. Об искажении сигналов в волоконнооптических линиях связи малой длины // Радиотехника. - 1989, №88. - C. 135-139.

Петров С. И., Сухоиванов И. А. Влияние мод оболочки на характер диффузии мощности в коротких нерегулярных световодах // Радиотехника. - 1990, №93. - C. 126-131.

Сухоиванов И. А., Щербатко И. В. Повышение эффективности передачи СВЧ-поднесущей по волоконнооптической линии // Радиотехника. - 1993, №96. - C. 119-124.

Сухоиванов И. А., Щербатко И. В. К расчету передаточных характеристик волоконнооптической линии с СВЧ-поднесущей // Радиотехника. - 1993, №97. - С. 100-104.

Мамедова Н.А., Сухоиванов И. А., Щербатко И.В. Применение оптоэлектронных приборов с внешней модуляцией в волоконнооптических линиях передачи СВЧ-поднесущей // Радиотехника. - 1994, №98. - С. 90-96.

Suchoivanov I. A., Petrov S. I., Sauter E. Analysis of optical waveguides with a non-stationary mode distribution // International Journal of Electronics Communications AEU. - 1996. - V. 50, №1. - P. 49-53.

Sherbatko I. V., Suchoivanov I. A. Decreasing of microwave subcarrier transmission losses in fiber-optic links with two-electrode laser // IEEE J. of Quantum Electronics. - 1996, №8. - P. 1369-1376.

Petrov S., Suchoivanov I. Coupled power equations for analysis of optical fibers used with satellite communication systems // Turkish Journal of Physics. - 1996.-V.20, №8. - P. 883-890.

Сухоиванов И. А. Трехуровневая динамическая модель высокоскоростных квантоворазмерных лазерных диодов с раздельной областью ограничения // Радиотехника. - 1997, №101. - C. 90-97.

Фройде В., Сухоиванов И. А. Эффекты переноса носителей в SCH-лазерных диодах // Радиотехника. - 1997, №102. - C. 93-99.

Сухоиванов И. А., Лысак В. В., Мартыненко С. О. Численная модель многослойных КРС-лазеров // Радиотехника. - 1998, №107. - C. 104-107.

Сухоиванов И. А. Проблемы нелинейного усиления прямомодулированных КРС-лазеров в высокоскоростных оптоволоконных системах // Радиоэлектроника и информатика. - 1997, №1. - C. 46-48.

Сухоиванов И. А., Лысак В.В., Самохвалов М.В. LASDYN - программный пакет моделирования динамических характеристик полупроводниковых гетеролазеров // Радиоэлектроника и информатика. - 1998, №4. - C. 19-21.

Sukhoivanov I.A. Influence of gain saturation and carrier dynamic models on the modulation response of quantum well lasers // Optical & Quantum Electronics. - 1999. -V. 31, №9/10. - P. 997-1007.

Сухоиванов И. А. Моделирование динамического поведения КРС - лазеров с учетом эффектов переноса носителей заряда в режиме большого сигнала // Радиофизика и электроника. Сб. научн. трудов ИРЭ НАН Украины. - 1998. - T. 3, №3. - C. 158-165.

Сухоиванов И. А., Самохвалов М. В. Влияние температурной зависимости коэффициента усиления на динамическое поведение лазера поверхностного излучения с вертикальным резонатором // Радиотехника. - 1998, №108. - C. 138-145.

Sukhoivanov I.A., Samokhvalov M.V., Manzhura A.N., Kublik A.V. Program package for studying semiconductor laser properties // Telecommunication and Radio Engineering, Begell House. -1998.- V.52, №12.- P.146-150. http://www.begellhouse.com/tre/tre_toc.html .

Sukhoivanov I. A, Lysak V. V. Nonlinear gain model and its application for numerical investigation of semiconductor lasers // Microwave and Optical Technology Letters. - 1999. - V.21, №6. - P. 474-477.

Sukhoivanov I. A, Samokhvalov M. V. Effects of the temperature dependence of the gain coefficient on the VCSEL dynamic // Proc. SPIE. - 1999, №3666-50. - P. 368-373.

Сухоиванов И. А. Исследование ближнего поля и динамического поведения полупроводниковых лазеров поверхностного излучения с учетом пространственного выжигания дыр // Радиотехника. - 1999, №110. - C. 69-79.

Сухоиванов И. А. Перспективные телекоммуникационные системы на основе фотоники и некоторые проблемы их создания // Радиотехника. - 1999, №111. - C. 71-77.

Иванов П. С., Сухоиванов И. А. Динамическая модель полупроводникового лазера с многочисленными квантоворазмерными слоями // Радиоэлектроника и информатика. - 1999. - №4. - С. 31-33.

Лысак В. В., Сухоиванов И. А. Определение коэффициентов оптического усиления материалов III-IV группы для моделирования динамических характеристик лазеров в широком диапазоне изменения частоты излучения // Радиотехника. - 2000, №115. - C. 117-121.

Ivanov P. S., Lysak V. V., Sukhoivanov I. A. Advanced model for simulation of surface-emitting quantum-well lasers // Int. J. Numerical Modelling. - 2001, №.14. - P. 379-394.

Патент Российской Федерации Н01S 3/103. Устройство для широкополосной аналоговой модуляции полупроводникового лазера / Щербатко И. В., Макаревич В. С., Сухоиванов И.А. - № 2007803; Заявлено 27.06.91 Опубл. 15.02.94, Бюл. №3. - 1 с.

Быков М. М., Петров С. И., Сухоиванов И. А. Локальные волоконнооптические линии связи. Расчет и проектирование. - К: УКРИНТЭИ, 1994. - 173 с

Моделирование и исследование нелинейных характеристик полупроводниковых высокоскоростных лазеров / Сухоиванов И. А. Манжура А. Н., Лысак В. В., Щербатко И. В./ Рукопись, деп. в ГНТБ Украины, Киев, 18. 12. 1995. УДК535.14, Р.ГАСНТИ 29.33.03 N16-Ук96.

Сухоиванов И. А., Щербатко И. В. Влияние мощности модулирующего сигнала в ВОЛП СВЧ на электрические параметры инжекционного лазера // Тезисы докладов конф. “Быстродействующие элементы и устройства ВОЛС”. - Севастополь: СФРДНТП. - 1990. - С. 39.

Sukhoivanov I. A., Stsherbatko I. V. Mikrowellen-LWL- Analogsysteme // Proc. International Conf. "4-Tagung Elektronik-Technologie HU- Berlin". - Berlin (Germany). - 1990. - P. 371-376.

Petrov S. , Sukhoivanov I. Coupled power equation use for analysis of optical fibers with unsteady state power distribution // Proc. International Conf. on Mathematical Methods in Electromagnetic Theory (MMET"94). - Kharkov(Ukraine). - 1994. - P. 316-318.

Щербатко И. В. Сухоиванов И. А. Повышение коэффициента передачи СВЧ поднесущей в ВОЛС // Тез. докл. конф."СВЧ техника и спутниковый прием". - Севастополь. - 1994. - C. 5.

Sukhoivanov I. A., Stsherbatko I. V. Decreasing of microwave subcarrier transmission losses in fiber optic links // Proc. International Conf. Microwaves Optronics (MIOP"95). - Sindelfingen(Germany).- 1995. - P. 634-637.

Stsherbatko I. V., Sukhoivanov I. A., Nerukh A. G. The use of an two-electrode GAAS/ALGAAS heterolaser in microwave fiber optic links // Proc. 5th International symposium on Resent Advances in Microwave Technology (ISRANT"95). - Kiev(Ukraine). - 1995. - P. 437-440.

Sukhoivanov I. A. Modelling of semiconductor laser with large signal modulation // Proc. International Conf. Mathematical Methods in Electromagnetic Theory (MMET `96). - Lviv(Ukraine). - 1996. - P. 416-419.

Sukhoivanov I. A., Manzhura A.N. Dynamic properties of a quantum-well lasers. Numerical research of one well modell // Proc. International Conf. Mathematical Methods in Electromagnetics Theory (MMET96). - Lviv(Ukraine). - 1996. - P. 256-259.

Freude W., Sukhoivanov I. A. Carrier transport phenomena in SCH quantum- well laser diodes // Труды 2й междунар. конф. "Теория и техника передачи, приема и обработки информации". - Туапсе. - 1996. - С. 192-193.

Сухоиванов И. А., Фройдэ В. Анализ высокоскоростных квантоворазмерных полупроводниковых лазеров// Труды 2й междунар. конф. "Теория и техника передачи, приема и обработки информации". - Туапсе. - 1996. - С. 178-179.

Freude W., Sukhoivanov I. A. Carrier transport phenomena in SCH quantum-well laser diodes for microwave fiber optic telecommunication systems // Труды 6й Крымской конф."СВЧ техника и телекоммуникационные технологии". - Севастополь. - 1996. - С. 303-307.

Sukhoivanov I. A., Manzhura A. N. Large signal behaviour and carrier transport phenomena in QW lasers // Proc. International conf. Microwaves and Optronics (MIOP97). - Sindelfingen(Germany). - 1997. - P. 536-538.

Сухоиванов И. А., Манжура А. Н., Лысак В. В. Пакет программ для моделирования полупроводниковых лазеров // Труды Междунар. конф. "Теория и техника передачи, приема и обработки информации". - Туапсе. - 1997. - С. 348.

Сухоиванов И.А. Применение технологии нейронных сетей для моделирования многослойных КРС лазеров // Труды Междунар. конф. "Теория и техника передачи, приема и обработки информации". - Туапсе. - 1997. - С. 347.

Sukhoivanov I. A., Lysak V. V. Complex gain model in active material of semiconductor lasers // Proc. 9th Int. Conf. on Material & Technology CIMTEC"98. - Florence (Italy). - 1998. - P. 74.

Sukhoivanov I. A. Large signal analyses for the modulation response of high speed quantum well lasers // Proc. Int. Conf. Mathematical Methods in Electromagnetic Theory (MMET’98). - Kharkov (Ukraine). - 1998. - P. 899-901.

Сухоиванов И. А. Динамическая модель КРС лазера и ее применение для анализа лазеров с различным числом квантовых ям // Труды Междунар. конф. "Теория и техника передачи, приема и обработки информации". - Туапсе. - 1998. - С. 135.

Сухоиванов И. А., Самохвалов М. В. Динамический отклик лазера с вертикальным резонатором // Труды Междунар. конф. "Теория и техника передачи, приема и обработки информации". - Туапсе. - 1998. - С. 136.

Freude W., Palai P. Sukhoivanov I. A Modelling of chirping laser diodes for microwave generation and transmission over dispersive fibers // Proc. International Conf. Meeting of Microwave Photonics. - Princeton (USA). - 1998. - P. 95-98.

Sukhoivanov I. A , Samokhvalov M. V. Effects of the temperature dependence of the gain coefficient on the VCSEL dynamic behaviour // Proc. International Conf. Photonics"98. - NEWDELI(Indien). - 1998. - P. 136-139.

Sukhoivanov I. A , Samokhvalov M. V. Analysis and simulation of dynamical behaviour of VCSEL with oxide confinement layer // Proc. International Conf. ICTON"99. - Kielze(Poland). - 1999. - P. 139-142.

Sukhoivanov I.A. Investigation of dynamic behaviour of surface emitting semiconductor lasers // Proc. 1st International Workshop LFNM’99. - Kharkov (Ukraine). - 1999. - P. 8.

Sukhoivanov I. A. Samokhvalov M. V., Manzhura A. N., Kublik А. V. The program interface for laser performance investigation // Proc. 1st International Workshop LFNM’99. - Kharkov (Ukraine). - 1999. - P. 11.

Ivanov P. S., Sukhoivanov I. A. Diffusion dynamic model for study of the nonuniform carrier distribution effects in VCSEL // Proc. Int. Conf. CLEO/Europe2000. - Nice(France). - 2000. - P. 230.

Sukhoivanov I. A., Ivanov P. S., Lysak V. V., Kublik A. V. Thermal properties of semiconductor oxide-confinement vertical cavity lasers // Proc. 2nd International Workshop LFNM"2000. - Kharkov (Ukraine). - 2000. - P. 53-56.

Sukhoivanov I.A., Lysak V.V Determination of nonlinear gain coefficient for infrared optical sources // Proc. 2nd International Workshop LFNM"2000. - Kharkov(Ukraine). - 2000. - P. 57-59.

Sukhoivanov I. A., Lysak V. V. Simulation of an optical gain of QW laser taking into account the gain and electron density nonlinearities // Proc. 2nd International Conf. ICTON’2000. - Gdansk(Poland). - 2000. - P. 225-228.

Sukhoivanov I. A., Ivanov P. S. Calculation of thermal characteristics in the oxide confinement VCSEL including nonuniform carrier distribution // Proc. 2nd International Conf. ICTON’2000. - Gdansk(Poland). - 2000. - P. 213-216.

Лысак В. В., Шулика А. В., Сухоиванов И. А. Одноуровневая модель лазеров на основе квантовых точек // Сб. научных трудов 6й международной конференции “Теория и техника передачи, приема и обработки информации”. - Туапсе. - 2000. - С. 578-579.

Иванов П.С., Криг М., Фройдэ В., Сухоиванов И.А. Математическая модель полупроводникового лазера с многочисленными квантовыми слоями // Сб. научных трудов 6й международной конференции “Теория и техника передачи, приема и обработки информации”. - Туапсе. - 2000. - С. 582-584.

Пономарева Т.М., Фритч Р., Шпайдель Й., Сухоиванов И.А. Моделирование пассивных оптических сетей // Сб. научных трудов 6й международной конференции “Теория и техника передачи, приема и обработки информации”. - Туапсе. - 2000. - С. 576-577.

Сухоиванов И. А., Иванов П. С., Лысак В. В. Применение расширенной модели квантоворазмерного лазера для описания поведения VCSEL // III Международная научно-техническая конференция поквантовой электронике. - Минск. - 2000. - P. 45-48.

Ivanov P., Sukhoivanov I., Lysak V. Extended model of VCSEL with nonuniform laser structure // Int. Workshop Microcavity Light Sources.- Paderborn (Germany).- 2001.- P.16

Sukhoivanov I., Ivanov, P. Spatial characteristics of oxide-confined VCSEL in single and multimode conditions // Int. Workshop on Optical Waveguide Theory and Numerical Modelling.- Paderborn (Germany).- 2001.- P.20. http://www.fernuni-hagen.de/ATE/workshop/welcome.html .

Ivanov P., Sukhoivanov I., Lysak V., Prigoda A., Kohan Y., Zaslonkin Y., Shulika A., Kublik A. Laser CAD III - software package for quantum well laser simulation // Proc. Of the 6-th Int. Conf. CADSM 2001. - Lviv-Slavsko.- 2001.-P.209-211.

Perona A., Rouillard Y., Sukhoivanov I., Gazouli M. at al. Laser diodes emitting at 2,0 ?m for medical applications // Conf. on mid-infrared optoelectronics materials and devices, MIOMD. - Montpellier (France). - 2001. - P.86.

Ivanov P. S., Vukusic J., Rouillard Y., Perona A., Joullie A., Sukhoivanov I. A. Mode characteristics of MQW lasers // Proc. 3nd Int. Workshop LFNM"2001. - Kharkov (Ukraine). - 2001. - P. 69-72.

Sukhoivanov I. A. Modellierung und Analyse der nichtlinearen Eigenschaften von Laserdiode // Докл. на семинаре "Optische Nachrichtentechnik", Insitut Hochfrequnztechnik und Quantenelektronik. - Karlsruhe (Deutchland). - 31.05-2.06.1995. - 1 p.

Сухоиванов И. А. Полупроводниковые лазеры в оптических системах связи с предельно быстрым преобразованием информации // Международный научный семинар "Информационные технологии и проектирование программного обеспечения". - Харьков. - 14-16.11.1995. - С.5.

Сухоиванов И. А. Анализ скоростных характеристик полупроводниковых лазеров для спутниковых систем связи // 4й Украинско-китайский симпозиум по космической науке и технике. - Киев. - 1996. - КНТ-4.

Sukhoivanov I. A. Modelling of MQW laser diodes // Доклад на семинаре COST240. - Stokholm (Sweden). - 7-8.04.1997. http://intecsrv.rug.uc.be/Research /Projects/COST240/welcome.html .

Sukhoivanov I. A. Influence of phenomenolgical parameters and types of model on the dynamical behaviour of quantum well lasers // International Workshop on Optical Waveguide Theory and Numerical Modelling. - Hagen (Germany). - 18-19.09.1998. http://132.176.3.210/wshop/timetable.html .

Sukhoivanov I. A. Dynamic behaviour of the oxide confinement VCSEL with account of the diffusion processes // European Semiconductor workshop. - Paris (France). - 24-25.09.1999.

Sukhoivanov I. A. The modified of QW laser dynamic and analysis of its application // International Workshop on Optical Waveguide Theory and Numerical Modeling. - St.Ettienne (France). - 25.09.1999. http://webperso.uni-st-etienne.fr/~fpegion .

Sukhoivanov I. A., Lysak V. V., Ivanov P. S. High speed properties of vertical cavity surface emitting lasers for data transmission // Fotonics ODS’2000. - Vinnica (Ukraine). - 9.09.2000. http://kiev.ua /spie/ conference/ spie-conf-2-9-program.htm .

Sukhoivanov I. A., Lysak V. V., Ivanov P. S. Modeling of mid-infra red VCSEL // European Semiconductor workshop. - Berlin(Germany). - 1-2.09.2000. http://www.hhi.de/messen/european_ semiconductor_laser_W/hauptteil_european _semicon_laser_w.html

Размещено на .ru