Метали – кристалічні тіла, які характеризуються певними комплексними властивостями. Дефекти в кристалах, класифікація. Коливання кристалічної решітки. Кристалізація — фазовий перехід речовини із стану переохолодженого середовища в кристалічне з"єднання.
Аннотация к работе
Висока якість металу і виробів з нього, може забезпечуватися двома шляхами: вдосконаленням технології з метою виключення можливості появи дефектів і вдосконаленням методів контролю якості металу з метою виявлення дефектів і відбракування дефектних заготовок, напівфабрикатів і виробів. Розрізняють дефекти металів тонкої структури (атомарного масштабу), наприклад, вакансії і ін., грубіші - субмікроскопічні тріщини, що утворюються по межах блоків кристала і на його поверхні. Висока якість металу і виробів, що виготовляються з нього, може забезпечуватися двома шляхами: вдосконаленням технології з метою виключення можливості появи дефектів і вдосконаленням методів контролю якості металу з метою виявлення дефектів і відбракування дефектних заготовок, напівфабрикатів і виробів. Характер цих коливань залежить від симетрії кристала, числа його атомів, типу, а також від виду і концентрації дефектів у кристалах. У кристалі, що складається з N елементарних комірок по n атомів в кожній, існує 3NN - 6 типів простих коливань, які називають нормальними (або власними) коливаннями, або модами.Дослідження дефектів досягло високого рівня розвитку і має в своєму розпорядженні такі прилади, які дозволяють здійснювати автоматичну оцінку отриманих даних, однак виготовлення зразків все ще відбувається вручну за допомогою порівняно простого обладнання. Практичне вивчення процесу кристалізації, причин виникнення дефектів включає в себе багато різноманітних процесів і методів з відповідними інструментами, приладами, а також основними і допоміжними матеріалами.
Вывод
Дослідження дефектів досягло високого рівня розвитку і має в своєму розпорядженні такі прилади, які дозволяють здійснювати автоматичну оцінку отриманих даних, однак виготовлення зразків все ще відбувається вручну за допомогою порівняно простого обладнання.
Хоч для окремих операцій і розроблені автоматичні прилади, до цього часу виготовлення залишається свого роду мистецтвом, яке потребує спеціальних знань і досвіду практичної роботи.
Практичне вивчення процесу кристалізації, причин виникнення дефектів включає в себе багато різноманітних процесів і методів з відповідними інструментами, приладами, а також основними і допоміжними матеріалами.
З розвитком промисловості і народного господарства зростає значення металів і їх сплавів як будівельних і конструкційних матеріалів. Тому існує проблема, яка полягає у вдосконаленні виробництва матеріалів, дослідженні можливих дефектів і раціональні методи виключення їх появи і контролю.
Перспективами є впровадження сучасного найновітнішого обладнання, яке дозволить з високою точністю визначити можливість появи дефекту і у досить короткі строки по можливості усунути їх.
Список литературы
1. Лейбфрид Г., Микроскопическая теория механических и тепловых свойств кристаллов, пер. с англ., М., 1963;
2. Марадудин А., Дефекты и колебательный спектр кристаллов, пер. с англ., М., 1968;
3. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М., Статистическая физика, 2 изд., М., 1964: их же, Теория упругости, 3 изд., М., 1965 (Теоретическая физика, т. 7): 4. Киттель Ч., Введение в физику твердого тела, пер. с англ., М., 1963.
5. Шубников А. В., Как растут кристаллы, М.- Л., 1935; его же. Образование кристаллов, М.- Л., 1947;
6. Кузнецов В. Д., Кристаллы и кристаллизация, М., 1953;
7. Маллин Д ж., Кристаллизация, пер. с англ., М., 1965;
8. Хонигман Б., Рост и форма кристаллов, пер. с нем., М., 1961;
9. Матусевич Л. Н., Кристаллизация из растворов в химической промышленности, М., 1968;
10. Палатник Л. С., Папиров И. И., Эпитаксиальные пленки, М., 1971.
11. Уэрт Ч., Томсон P., Физика твердого тела, пер. с англ., М., 1966; Киттель Ч., Введение в физику твердого тела, пер. с англ., 2 изд., М., 1963.
12. Пекар С. И., Исследования по электронной теории кристаллов, М. - Л., 1951; Кац М. Л., Люминесценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений, Саратов, 1960;
13. Марфунин А. С., Спектроскопия, люминесценция и радиационные центры в минералах, М., 1975.
14. Котрелл А., Теория дислокаций, пер. с англ., М., 1969;
15. Бюренван Х. Г., Дефекты в кристаллах, пер. с англ., М., 1962;