Структура биполярного транзистора, сущность явления инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Распределение примесей в активной области транзистора. Топология биполярного транзистора, входные и выходные характеристики, сопротивление коллектора.
Аннотация к работе
Министерство науки и образования РФ Новосибирский Государственный Технический Университет Кафедра ПП и МЭ Курсовая работа по твердотельной электронике Биполярный транзистор БТ-3 Факультет: РЭФ Группа: РП4-91 Студент: Эрдынеев А.Б Преподаватель: Макаров Е.А. Новосибирск 2011 Исходные данные для проектирования Эмиттерный слой 1. Площадь эмиттера, мкм2 20 Базовый слой 4. Область транзистора, расположенную между p-n переходами, называют базой. Планарно-эпитаксиальный транзистор со скрытым слоем и изоляцией p-n-перехода является наиболее широко распространённой разновидностью биполярного транзистора ИМС.