Режимы работы биполярного транзистора. Изменение ширины базы и ее свойств под действием обратного коллекторного напряжения. Резкая зависимость тока коллектора от напряжения при малых значениях. Граничная частота коэффициента передачи эмиттерного тока.
Аннотация к работе
Лекция 4 Биполярные транзисторы Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника с чередующимися типами проводимости: n-p-n или p-n-p (на рис 1.19 приведена структура биполярного транзистора типа n-p-n). У реального транзистора один из крайних слоев (эмиттер) имеет гораздо большую концентрацию примеси по сравнению с другим крайним слоем и является источником подвижных носителей заряда, тогда как второй крайний слой (коллектор) отличается гораздо большей площадью p-n-перехода, что позволяет ему более эффективно собирать носители заряда, инжектированные эмиттером и прошедшие средний слой, называемый базой. В активном режиме работы (рис.1.20,а) напряжение между эмиттером и базой ( ) является прямым, а между коллектором и базой ( ) - обратным, поэтому эмиттерный переход открыт, а коллекторный закрыт.