Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
Аннотация к работе
ТЕМА 4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 4.1 Устройство и принцип действия Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности и пригодный для усиления мощности. Выпускаемые в настоящее время биполярные транзисторы можно классифицировать по следующим признакам: O по материалу: германиевые и кремниевые; O по виду проводимости областей: типа р-n-р и n-p-n; O по мощности: малой (Рмах ? 0,3Вт), средней (Рмах ? 1,5Вт) и большой мощности (Рмах > 1,5Вт); O по частоте: низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и СВЧ. Средняя область транзистора называется базой, одна крайняя область - эмиттером, другая - коллектором.