Расчет температуры корпуса и пакета плат одноблочной ЭВМ. Схема соединения тепловых сопротивлений. Способ монтажа микросхем на плате. Определение теплового сопротивления при передаче тепловой энергии (теплоты) кондукцией для микросхемы, способы улучшения.
Аннотация к работе
Проектное задание: выполнить анализ теплового режима блока, считая температуру корпуса микросхемы равной температуре нагретой зоны, проверить, обеспечивается ли нормальный тепловой режим. Решаемые задачи: в данной лабораторной работе необходимо решить две задачи: Задача №7 - расчет температуры корпуса и пакета плат одноблочной ЭВМ Данную задачу необходимо решить, поскольку это требуется по условию проектного задания (требуется выполнить анализ теплового режима блока, то есть определения перегрева корпуса, пакета плат и их среднеповерхностной температуры). Теплота от субблоков передается к воздуху внутри корпуса естественной конвекцией в каналах (тепловое сопротивление Rзвк), от плат к корпусу - излучением (Rзкл) и теплопроводностью (Rзкт), от воздуха внутри корпуса к корпусу - естественной конвекцией (Rвк), от корпуса в окружающую среду - естественной конвекцией и излучением (тепловые сопротивления Rkck и Rксл соответственно). Выбор компоновочной схемы: Исходные данные: Длина корпуса блока L1 = 110 мм, Ширина корпуса блока L2 = 250 мм, Высота корпуса блока L3 = 250 мм, Длина пакета плат Lx = 66 мм, Ширина пакета плат Ly = 240 мм, Высота пакета плат Lz = 220 мм, Толщина платы субблока S(Нп) = 1.5 мм, Расстояние между платами B = 20 мм, Зазор между субблоком и направляющей LЗ = 0.1 мм, Зазор между микросхемой и платой Нз = 0.1 мм, Длина корпуса микросхемы Lm = 18 мм, Ширина корпуса микросхемы Вм = 6 мм, Высота корпуса микросхемы Нм = 3 мм, Высота направляющей субблока Dн = 3 мм, Мощность рассеиваемая блоком Ф = 36 Вт, Мощность рассеиваемая микросхемой Ф = 90 МВТ, Давление внутри блока - 133 КПА, Допустимая температура блока Тбд = 60 С, Допустимая температура микросхем Тд = 75 С, Температура окружающей среды Т = 32 С, Точность приближения перегрева е = 1 С, Удельная тепловая проводимость контакта основание микросхемы - плата субблока 40 Вт/М2ЧК, Коэффициент теплопроводности материала платы субблока 0.33 Вт/МЧК, Заполнение направляющих блока теплопроводящей смазкой - Да, Коэффициент теплопроводности смазки между платой и направляющей 1 Вт/МЧК, Способ монтажа микросхем на плате - односторонний.